处理中...

首页  >  产品百科  >  TN5325K1-G

TN5325K1-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Microchip N沟道增强型MOS管 TN5325系列, Vds=250 V, 150 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2395618P
供应商: 海外现货
标准整包数: 25
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) TN5325K1-G

TN5325K1-G概述


    产品简介


    产品名称:TN5325 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
    产品类型:增强型垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Enhancement-mode vertical DMOS FET)
    主要功能:该产品具有低阈值电压(最大2V)、高输入阻抗和高增益等特点,适用于逻辑电平接口、固态继电器、电池驱动系统、光伏驱动等领域。
    应用领域:
    - 逻辑电平接口(适合TTL和CMOS)
    - 固态继电器
    - 电池操作系统
    - 光伏驱动
    - 模拟开关
    - 通用线驱动器
    - 电信交换

    技术参数


    电气特性:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(BVDS):最大250V
    - 漏栅电压(BVDG):未指定
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 工作环境温度(TA):-55°C 至 +150°C
    - 存储温度(TS):-55°C 至 +150°C
    直流电气特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):250V
    - 栅阈值电压(VGS(th)):0.6V至2V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):最大8Ω(VGS=4.5V时),最大7Ω(VGS=10V时)
    - 零栅压漏电流(IDSS):最大1µA
    交流电气特性:
    - 前进跨导(GFS):150mmho(VDS=25V,ID=200mA时)
    - 输入电容(CISS):最大110pF(VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz时)
    - 关断延迟时间(td(OFF)):最大25ns(VDD=25V,ID=150mA,RGEN=25Ω时)

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 低阈值电压:仅为2V,非常适合电池驱动系统。
    - 高输入阻抗和高增益:确保低功耗和高效性能。
    - 无二次击穿:确保长期稳定性和可靠性。
    - 低输入电容和快速开关速度:适合高频和高速电路应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 逻辑电平接口:适用于各种数字信号接口。
    - 固态继电器:适用于需要可靠开关控制的应用。
    使用建议:
    - 确保供电电压不超过250V。
    - 使用推荐的散热方案,避免高温损坏。
    - 高频应用时,注意减少寄生电容的影响。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品可以与多种逻辑电平接口兼容,适用于不同类型的数字电路设计。
    支持:
    - Microchip提供全面的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 产品过热:确保使用合适的散热方案。
    2. 电压不稳定:检查供电电压是否在允许范围内。
    解决方案:
    1. 使用散热器或风扇:有效降低温度,延长使用寿命。
    2. 调整电源设置:确保电压在250V以内,避免过载。

    总结和推荐


    综合评估:
    TN5325是一款高性能的增强型垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管,具有低阈值电压、高输入阻抗和快速开关速度等特点,非常适合逻辑电平接口、固态继电器和电池驱动系统等应用。
    推荐:
    基于其卓越的性能和广泛的应用领域,强烈推荐使用TN5325 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET。该产品在市场上具有很高的竞争力,能够满足多数用户的性能需求。

TN5325K1-G参数

参数
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 7Ω@ 1A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 250V
Id-连续漏极电流 150mA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 -
最大功率耗散 360mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 110pF@25V
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*950μm
通用封装 TO-236AB
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TN5325K1-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

TN5325K1-G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY TN5325K1-G TN5325K1-G数据手册

TN5325K1-G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 5.3039
100+ ¥ 3.8152
250+ ¥ 3.6603
1000+ ¥ 3.5892
库存: 2850
起订量: 50 增量: 0
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 265.19
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504