处理中...

首页  >  产品百科  >  RZR040P01

RZR040P01

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: RZR040P01 SOT-23-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) RZR040P01

RZR040P01概述

    # RZR040P01 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    RZR040P01 是由 HUAXUANYANG(华宣阳电子)生产的 P-Channel Enhancement Mode MOSFET(P沟道增强型场效应晶体管)。该产品主要用于电池保护和开关应用,适用于需要高功率和电流处理能力的场合。它采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻、低栅极电荷等特点。
    主要功能
    - 用于电池保护和开关应用。
    - 支持最低 2.5V 的栅极电压操作。
    - 具有优异的 RDS(ON),适合多种电力管理应用。
    应用领域
    - 负载开关。
    - PWM(脉宽调制)应用。
    - 电池管理系统。
    - 功率管理和转换应用。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDS | -20 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±12 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | -7 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | -18.8 | A |
    | 最大功耗 | PD | 1 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 到 150 | ℃ |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-4.5V| 26 | 40 | mΩ |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | -0.8 | -1.4 | V |
    | 总栅极电荷 | Qg | -4.5V | 10 | nC |
    | 开启延迟时间 | Td(on) | -4.5V | 30 | ns |
    | 关闭延迟时间 | Td(off) | -4.5V | 70 | ns |
    | 上升时间 | Tr | -4.5V | 25 | ns |
    | 下降时间 | Tf | -4.5V | 50 | ns |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 先进的沟槽技术:提供优秀的 RDS(ON) 和低栅极电荷。
    - 最低 2.5V 的栅极电压操作:降低系统设计复杂度。
    - 高电流和功率处理能力:适合电池保护和开关应用。
    市场竞争力
    - 表面贴装封装:易于自动化生产和装配。
    - 广泛的应用范围:包括负载开关、PWM 应用和电池管理系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    RZR040P01 可用于多种电力管理应用,如电池管理系统中的负载开关和开关电源。其高功率和电流处理能力使其在电池充电和放电控制中表现卓越。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以确保稳定运行。
    - 配合合适的驱动电路,避免由于过高的栅极电压而导致的损坏。
    - 注意脉冲电流下的热管理,以避免长时间超过额定电流工作导致的热应力。

    兼容性和支持


    兼容性
    RZR040P01 与大多数标准表面贴装工艺兼容,可轻松集成到现有的 PCB 设计中。
    厂商支持
    - 提供详细的规格书和技术文档。
    - 高效的技术支持团队,帮助客户解决设计和应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. RZR040P01 的最大漏极电流是多少?
    - 最大漏极电流为 -7A(连续),脉冲漏极电流可达 -18.8A。
    2. 如何避免 MOSFET 过热损坏?
    - 确保良好的散热设计,使用适当的热界面材料(TIM)并选择合适的 PCB 布局以利于热量扩散。
    3. 如何选择合适的栅极电阻?
    - 一般情况下,选择栅极电阻以确保驱动信号足够快地开启和关闭 MOSFET,同时避免过高的栅极电压导致损坏。

    总结和推荐


    产品评估
    RZR040P01 是一款高性能的 P-Channel MOSFET,具备高电流和功率处理能力,适用于多种电力管理和电池保护应用。其先进的沟槽技术和低栅极电荷使得其在多种应用中表现出色。
    推荐使用
    鉴于其出色的性能和广泛的适用性,强烈推荐 RZR040P01 用于需要高可靠性和高性能的应用场景,特别是在电池管理系统和电源转换器中。

RZR040P01参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
最大功率耗散 -

RZR040P01厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

RZR040P01数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 RZR040P01 RZR040P01数据手册

RZR040P01封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.3552
9000+ ¥ 0.3493
15000+ ¥ 0.3404
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 1065.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504