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KMA3D7P20SA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: KMA3D7P20SA SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) KMA3D7P20SA

KMA3D7P20SA概述

    KMA3D7P20SA P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    KMA3D7P20SA 是由华轩阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的 P 沟道增强型 MOSFET。该产品主要用于负载开关或脉宽调制(PWM)应用,适用于电池保护、不间断电源和其他电力系统。其出色的 RDS(ON) 特性使其成为高性能应用的理想选择。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):-20V
    - 连续漏极电流 (ID):-3A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):-10A(脉冲宽度受最高结温限制)
    - 最大功率耗散 (PD):1W
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻 (RθJA):125°C/W
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):±100nA (VGS = ±12V, VDS = 0V)
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):-0.4V 至 -1V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = -4.5V, ID = -3A 时为 60mΩ 至 80mΩ
    - VGS = -2.5V, ID = -2A 时为 85mΩ 至 103mΩ
    - 输入电容 (CISS):405pF (VDS = -10V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)
    - 输出电容 (COSS):75pF
    - 反向传输电容 (CRSS):55pF
    - 开关时间参数:
    - 开启延迟时间 (td(on)):11ns (VDD = -10V, ID = -1A, VGS = -4.5V, RGEN = 10Ω)
    - 开启上升时间 (tr):35ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):30ns
    - 关闭下降时间 (tf):10ns
    - 总栅电荷 (Qg):3.3nC 至 12nC (VDS = -10V, ID = -3A, VGS = -2.5V)

    产品特点和优势


    KMA3D7P20SA 的关键优势在于其低导通电阻 (RDS(ON)) 和高可靠性,使其非常适合于电池保护和不间断电源应用。这款 MOSFET 在各种负载开关和 PWM 应用中表现出色,能够提供高效且可靠的性能,这使得它在市场上具有很高的竞争力。

    应用案例和使用建议


    KMA3D7P20SA 可以用于多种电力系统,如电池保护电路、负载开关和不间断电源(UPS)。例如,在 UPS 系统中,它可以作为控制电池放电的关键组件。为了优化性能,建议在设计时充分考虑其热管理和散热设计,以确保其能够在极端条件下稳定运行。

    兼容性和支持


    KMA3D7P20SA 具有标准 SOT-23 封装,易于与其他电子元件集成。华轩阳电子提供了全面的技术支持和客户支持,包括技术文档、样品申请和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定最佳的 VGS 设置?
    - 解决方案:参考产品手册中的 VGS(th) 参数,并结合具体应用需求,通常建议设置为 -4.5V 或 -2.5V 以获得最佳性能。
    - 问题:如何处理过高的温度?
    - 解决方案:通过改善散热设计,如增加散热片或使用强制风冷,可以有效降低结温。
    - 问题:如何确保产品的长期稳定性?
    - 解决方案:遵循产品手册中的建议操作条件,不要超过最大额定值,同时进行定期的性能检测。

    总结和推荐


    KMA3D7P20SA 是一款出色的 P 沟道增强型 MOSFET,以其低导通电阻和高可靠性在众多应用中表现优异。它不仅适合电池保护和负载开关应用,还能广泛应用于其他电力系统中。对于需要高效能和高可靠性的项目,强烈推荐使用此产品。

KMA3D7P20SA参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -

KMA3D7P20SA厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

KMA3D7P20SA数据手册

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KMA3D7P20SA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.3402
9000+ ¥ 0.3345
15000+ ¥ 0.326
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