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KMB3D0P30SA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: KMB3D0P30SA SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) KMB3D0P30SA

KMB3D0P30SA概述


    产品简介


    KMB3D0P30SA 是由深圳华宣阳电子有限公司(HXY)生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种电子元器件采用了先进的沟槽技术,能够提供极低的导通电阻(RDS(ON))和较低的栅极电荷(Qg),能够在2.5V的栅极电压下正常工作。KMB3D0P30SA特别适用于电池保护及开关应用,如电源管理和负载开关等。

    技术参数


    - 封装类型:SOT-23
    - 栅源电压范围:-20V 到 +20V
    - 漏源电压范围:-30V
    - 连续漏电流:-4.1A
    - 脉冲漏电流:-13A(注意:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%)
    - 最大功率耗散:1.32W(以150℃结温为限)
    - 热阻:125℃/W
    - 工作温度范围:-55℃到+150℃

    产品特点和优势


    - 高功率和大电流处理能力:KMB3D0P30SA能够处理高达-4.1A的连续漏电流和-13A的脉冲漏电流,适合于需要高功率输出的应用。
    - 低导通电阻:在VGS=10V时,RDS(ON)<56mΩ,这有助于降低功耗并提高效率。
    - 先进沟槽技术:采用先进的沟槽制造工艺,使器件具有更好的性能和更长的使用寿命。
    - 表面贴装技术:方便在PCB上的组装和生产,简化了生产工艺。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:KMB3D0P30SA可用于电源管理中的负载开关应用,特别是在电池保护电路中,作为过流保护器件。
    - 使用建议:为了确保最佳性能和可靠性,在使用时应注意不要超过其绝对最大额定值,特别是在极端温度条件下。此外,建议在设计时考虑适当的散热措施以防止热失控。

    兼容性和支持


    - 兼容性:KMB3D0P30SA与标准的SOT-23封装相兼容,可直接替换市场上同类产品,如N沟道MOSFET。
    - 支持:深圳华宣阳电子有限公司提供了全面的技术支持,包括样品申请、应用指南和技术文档等,帮助客户顺利集成产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备运行过程中发热严重。
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,尤其是散热路径。使用散热片或其他冷却装置辅助散热。
    - 问题2:漏电流过大。
    - 解决方案:重新校准或更换MOSFET,确保其在额定电压范围内工作。

    总结和推荐


    综上所述,KMB3D0P30SA 是一款高性能的P沟道MOSFET,具备高功率、低导通电阻和先进的沟槽技术等显著优势。尤其适用于电源管理和电池保护应用。尽管如此,在使用时仍需谨慎,遵循制造商提供的安全指南。因此,对于那些需要高效且可靠的电源管理解决方案的项目来说,KMB3D0P30SA 是一个值得推荐的选择。

KMB3D0P30SA参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
FET类型 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

KMB3D0P30SA厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

KMB3D0P30SA数据手册

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KMB3D0P30SA封装设计

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