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TDM3744

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 272W(Tc) 4V@ 250uA 80V 3.9mΩ@ 10V,20A 180A TO-220
供应商型号: TDM3744 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
TECHCODE/深圳泰德 场效应管(MOSFET) TDM3744

TDM3744概述

    # Techcode® N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3744

    产品简介


    Techcode® N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3744 是一款采用先进的沟槽技术制造的功率场效应晶体管(MOSFET),具有低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷的优点。它适用于负载开关或脉宽调制(PWM)电路等多种应用场景,如开关电源(SMPS)、硬开关高速电路、电动工具、不间断电源(UPS)以及电机控制等。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 80 | V |
    | 栅源电压 | VGS | +20 | V |
    | 连续漏极电流(硅限制) | ID(TC=25℃) | 196 | A |
    | 连续漏极电流(封装限制) | ID(TC=25℃) | 180 | A |
    | 脉冲电流 - 单脉冲 | IDM(TC=25℃) | 500 | A |
    | 最大耗散功率 | PD(TC=25℃) | 272 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS(L=0.5mH, TC=25℃) | 306 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 到 175 | ℃ |
    热特性
    | 热阻抗,结到环境 | RθJA | 60 | ℃/W |
    ||
    | 热阻抗,结到外壳 | RθJC | 0.55 | ℃/W |
    电气特性(TA=25℃)
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 80 | - | - | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=80V,VGS=0V,Tj=25℃ | - | - | 1 | μA |
    | 栅体漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 栅阈值电压 | VGS(th)| VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON)| VGS=10V, ID=20A | - | 3.2 | 3.9 | mΩ |
    | 跨导 | gfs | VDS=5V, ID=20A | - | 70 | - | S |
    | 栅电阻 | RG | VDS=0V,VGS=0V, F=1.0MHz | - | 1.3 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | VDS=40V,VGS=0V, F=1.0MHz | - | 3635 | - | PF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 1317 | - | PF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | - | 91 | - | PF |
    | 开启延迟时间 | td(on) | VDD=40V, VGS=10V,RG=10Ω | - | 13 | - | nS |
    | 开启上升时间 | tr | - | - | 18 | - | nS |
    | 关断延迟时间 | td(off)| - | - | 44 | - | nS |
    | 关断下降时间 | tf | - | - | 25 | - | nS |
    | 总栅电荷 | Qg | VDD=40V,ID=20A,VGS=10V | - | 74 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | 17 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 31 | - | nC |
    反向二极管特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=20A | - | 0.9 | 1.2 | V |
    | 体二极管反向恢复时间 | Trr | IF=20A, dI/dt=400A/μs | - | 44 | - | nS |
    | 体二极管反向恢复电荷 | Qrr | - | - | 155 | - | nC |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:低至3.9mΩ(@ VGS=10V),保证了高效的能量转换效率。
    - 高功率处理能力:能够承受高达196A的连续漏极电流,适合高功率应用。
    - 先进的沟槽技术:提高了可靠性,延长了使用寿命。
    - 高集成度:提供TO220封装,便于安装和集成。
    - 可焊锡:无铅产品,符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源(SMPS)同步整流:在高频率、高功率的应用中表现出色。
    2. 硬开关和高速电路:适用于需要快速响应和低损耗的应用。
    3. 电动工具和UPS:可靠性和高效性使其成为理想选择。
    使用建议
    - 在设计电路时,注意散热管理以确保正常运行。
    - 使用适当的栅极驱动电路,避免不必要的功率损耗。
    - 配合合适的外围元件,优化整体系统性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他主流的开关电源控制器和保护电路兼容。
    - 支持:Techcode Semiconductor提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南、设计参考和故障排除。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最佳的工作条件?
    - 解决方案:查阅技术手册中的电气特性表,根据具体应用需求确定最佳的栅源电压(VGS)和漏极电流(ID)。

    2. 问题:如何提高散热效率?
    - 解决方案:使用大面积散热片,结合风扇或其他主动冷却措施,确保芯片温度保持在安全范围内。
    3. 问题:如何防止过压损坏?
    - 解决方案:在电路中加入过压保护电路,如TVS二极管,确保在极端情况下也能安全运行。

    总结和推荐


    综上所述,Techcode® N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3744是一款高效、可靠的功率MOSFET,适用于多种高功率和高频率应用。其低导通电阻、高功率处理能力和先进的沟槽技术使其在市场上具有较强的竞争力。无论是设计工程师还是最终用户,都可以信赖这款产品的性能和稳定性。因此,强烈推荐使用Techcode® TDM3744。

TDM3744参数

参数
FET类型 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.9mΩ@ 10V,20A
Id-连续漏极电流 180A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 272W(Tc)
通用封装 TO-220

TDM3744厂商介绍

Techcode是一家致力于提供高科技产品和解决方案的公司。我们的产品主要分为以下几类:

1. 智能硬件:包括智能穿戴设备、智能家居系统等,旨在提升用户的生活质量和便利性。
2. 软件服务:提供企业级软件解决方案,如ERP系统、CRM系统等,帮助企业提高效率和管理水平。
3. 人工智能:开发AI技术,应用于数据分析、机器学习等领域,推动智能化转型。
4. 网络安全:提供网络安全产品和服务,保护企业数据安全和隐私。

Techcode的优势在于:

- 创新能力:我们拥有一支由行业专家组成的研发团队,不断推出创新产品。
- 客户服务:我们重视客户体验,提供定制化服务和技术支持。
- 市场洞察:我们紧跟市场趋势,及时调整产品和服务以满足客户需求。
- 技术领先:我们采用最新的技术,确保产品在性能和功能上保持领先。

Techcode致力于通过技术创新,为客户提供高质量的产品和服务,推动行业的发展。

TDM3744数据手册

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TECHCODE/深圳泰德 场效应管(MOSFET) TECHCODE/深圳泰德 TDM3744 TDM3744数据手册

TDM3744封装设计

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