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2N7002

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: MOS场效应管
供应商型号: 14M-2N7002 SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
KUU/深圳永裕泰 场效应管(MOSFET) 2N7002

2N7002概述

    # SOT-23 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    SOT-23封装的N沟道MOSFET(型号:2N7002)是一种高性能的小信号开关管。它的高密度单元设计使其具有低导通电阻(RDS(ON))的特点,适用于各种电压控制的小信号开关场合。这款产品以其坚固性和可靠性著称,适用于多种应用领域,如通信设备、消费电子和工业控制等。

    技术参数


    最大额定值
    | 符号 | 参数名称 | 额定值 | 单位 |

    | VDS | 漏源电压 | 60 | V |
    | ID | 漏极电流 | 115 | mA |
    | PD | 功耗 | 225 | mW |
    | Tj | 结温 | 150 | ℃ |
    | Tstg | 储存温度范围 | -55-150| ℃ |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=250uA | 60 | - | - | V |
    | 栅阈值电压 | Vth(GS) | VDS= VGS, ID=250uA | 1 | 1.7 | 2.5 | V |
    | 栅体漏电 | IGSS | VDS=0V, VGS=±20V | -100 | - | 100 | nA |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | VDS=60V, VGS=0V | 1 | - | - | uA |
    | 导通状态漏极电流 | ID(ON) | VDS=7V, VGS=10V | 500 | - | - | mA |
    | 导通状态漏极-源极电阻 | rDS(ON) | VGS=4.5V, ID=50mA | 1.1 | 3 | Ω |
    | 前向跨导 | gfs | VDS=10V, ID=200mA | 80 | 500 | ms |
    | 漏源导通电压 | VDS(ON) | VGS=5V, ID=50mA | 0.05 | 0.375 | V |
    | 二极管正向电压 | VSD | IS=115mA, VGS=0V | - | 0.55 | 1.2 | V |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | - | 50 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | 25 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 5 | pF |
    | 开关时间 | td(on) | - | 20 | - | - | ns |
    | 关断时间 | td(off) | VDD=25V, RL=50Ω, ID=500mA, VGEN=10V, RG=25Ω | - | 40 | ns |

    产品特点和优势


    - 高密度单元设计:低导通电阻(RDS(ON)),适合高效率应用。
    - 电压控制的小信号开关:适用于各种需要精确电压控制的应用。
    - 坚固可靠:高饱和电流能力,适用于要求耐用性的场合。
    - 快速响应:具有优异的开关速度和低栅电荷。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 用于电源管理中的低压转换。
    - 在无线通信设备中作为开关元件。
    - 在工业控制系统中实现精确控制。
    使用建议
    - 确保在设计电路时留有足够的裕量,避免过压损坏。
    - 选择合适的驱动电路以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    本产品与市面上常见的电子元件和设备兼容,厂家提供全面的技术支持,包括应用指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何判断MOSFET是否损坏?
    - 解决方案:使用万用表测量漏源电阻,如果测得的电阻为无穷大或极小,则可能损坏。

    2. 问题:如何确保MOSFET的工作稳定性?
    - 解决方案:选择合适的驱动电路,确保栅极电压稳定且不过压,避免长时间工作在高电流状态下。

    总结和推荐


    SOT-23封装的2N7002 N-Channel MOSFET具有优异的电气性能和高度的可靠性。其低导通电阻、快速开关速度和高饱和电流能力使其成为多种应用的理想选择。对于需要高效、稳定的电压控制和快速响应的应用场景,强烈推荐使用此产品。

2N7002参数

参数
配置 -
通道数量 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 225mW
栅极电荷 30nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@10V,100mA
Id-连续漏极电流 115mA
通用封装 SOT-23

2N7002厂商介绍

KUU公司是一家领先的高科技企业,专注于研发和生产各类高科技产品。公司主营产品分为三大类:智能设备、环保科技和医疗健康。

1. 智能设备:包括智能家居、智能穿戴、智能机器人等,广泛应用于家庭、办公和工业领域,提升生活和工作效率。

2. 环保科技:涵盖空气净化、水处理、废物回收等技术,致力于解决环境污染问题,保护地球家园。

3. 医疗健康:包括智能医疗设备、健康管理软件等,为医疗机构和个人提供高效、便捷的健康服务。

KUU的优势在于:

1. 创新研发:拥有一流的研发团队,持续推出具有竞争力的创新产品。

2. 高效生产:采用先进的生产设备和工艺,确保产品质量和交货速度。

3. 优质服务:提供全方位的售前、售中和售后服务,满足客户需求。

4. 环保理念:注重可持续发展,推广环保产品和技术,为保护环境贡献力量。

2N7002数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
KUU/深圳永裕泰 场效应管(MOSFET) KUU/深圳永裕泰 2N7002 2N7002数据手册

2N7002封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1000+ ¥ 0.0579
3000+ ¥ 0.0475
10000+ ¥ 0.0442
30000+ ¥ 0.0426
50000+ ¥ 0.0413
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