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TPM2008P3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TECH PUBLIC/台舟电子
产品描述: 130mΩ@4.5V,650mA 700mA DFN-1006-3L
供应商型号: TPM2008P3 SOD883(DFN1006-3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10000
TECH PUBLIC/台舟电子 场效应管(MOSFET) TPM2008P3

TPM2008P3概述

    TPM2008 P3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    TPM2008 P3 是一款表面贴装型(Surface Mount)的 N-通道增强模式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品主要用于负载/电源开关、接口开关、便携式电子设备电池管理以及逻辑电平转换。它凭借低导通电阻(RDS(on))和对低逻辑电平门驱动的支持,使其成为多种应用的理想选择。

    技术参数


    TPM2008 P3 的主要技术参数如下:
    - 漏源电压(VDS):20V
    - 栅源电压(VGS):±10V
    - 连续漏极电流(ID):0.7A
    - 脉冲漏极电流(IDM):1.8A (t=300μs)
    - 功率耗散(PD):100mW
    - 热阻(RθJA):833℃/W
    - 结温(TJ):150℃
    - 存储温度(TSTG):-55°C ~ +150°C
    此外,TPM2008 P3 的静态特性包括:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):20V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):1μA
    - 栅体漏电流(IGSS):±10μA
    - 栅阈电压(VGS(th)):0.35 ~ 1.1V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):130 ~ 250mΩ (VGS=4.5V)
    动态特性方面,输入电容(Ciss)为120pF,输出电容(Coss)为20pF,反向传输电容(Crss)为15pF。开关特性包括:
    - 开启延迟时间(td(on)):6.7ns
    - 开启上升时间(tr):4.8ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):17.3ns
    - 关闭下降时间(tf):7.4ns

    产品特点和优势


    TPM2008 P3 的主要优势在于其低导通电阻和低逻辑电平门驱动能力,使其能够有效地降低功耗和提高系统效率。该产品还具有静电放电保护(ESD Protection),增强了产品的可靠性和耐用性。此外,它的封装尺寸小,非常适合空间受限的应用场合。

    应用案例和使用建议


    TPM2008 P3 主要应用于便携式电子设备的电池管理、负载/电源开关及逻辑电平转换。例如,在便携式医疗设备中,TPM2008 P3 可以用于控制电源开关,确保设备的高效运行。使用时应注意根据具体应用选择合适的栅极驱动电压,以避免过高的栅源电压导致损坏。

    兼容性和支持


    TPM2008 P3 采用 SOT23 封装,符合行业标准,易于与其他同类设备兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,用户可以通过官网获得最新的技术支持和更新信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开启延迟时间较长。
    - 解决方法:检查输入电压和驱动电路是否正确配置,确保栅极驱动电压符合要求。
    2. 问题:功耗过高。
    - 解决方法:检查电路设计和负载条件,适当调整驱动信号和负载电流。
    3. 问题:无法正常关断。
    - 解决方法:确认栅极驱动电压足够高,且关断电路设计合理。

    总结和推荐


    TPM2008 P3 是一款高性能、紧凑型的 N-通道增强模式 MOSFET,适用于多种便携式和空间受限的应用场合。其低导通电阻和低逻辑电平门驱动能力使其在电池管理和电源开关应用中表现出色。综上所述,TPM2008 P3 是值得推荐的产品,适合需要高效能、小型化解决方案的设计者和工程师使用。

TPM2008P3参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@4.5V,650mA
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 700mA
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 DFN-1006-3L

TPM2008P3数据手册

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TECH PUBLIC/台舟电子 场效应管(MOSFET) TECH PUBLIC/台舟电子 TPM2008P3 TPM2008P3数据手册

TPM2008P3封装设计

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