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KU310N10D-RTF/H

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: KEC
产品描述: 52W(Tc) 4V@ 250uA 100V 31mΩ@ 10V,13.5A 27A TO-252
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
KEC 场效应管(MOSFET) KU310N10D-RTF/H

KU310N10D-RTF/H概述

    # KU310N10D N-channel Trench MOSFET 技术手册

    产品简介


    KU310N10D 是一款 N-channel 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(N-ch Trench MOSFET),专为高效能直流转换器、同步整流及电池供电设备中的负载开关而设计。此款 MOSFET 具备优秀的特性,如快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和卓越的雪崩特性。
    主要功能和应用领域
    - 快速开关时间
    - 低导通电阻(最大值:31mΩ @ VGS = 10V)
    - 低栅极电荷
    - 出色的雪崩特性
    - 高温稳定性
    - 广泛适用于直流转换器、同步整流及电池供电设备中的负载开关

    技术参数


    最大额定值(Tc = 25°C)
    | 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 100 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | ±20 | V |
    | 持续漏电流 | ID | 27 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDP | 110 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 60 | mJ |
    | 重复雪崩能量 | EAR | 2.3 | mJ |
    | 峰值二极管恢复电压 | dv/dt | 4.5 | V/ns |
    | 漏极耗散功率 | PD | 52 | W |
    | 热阻(结到外壳) | RthJC | 2.4 | °C/W |
    | 热阻(结到环境) | RthJA | 110 | °C/W |
    电气特性(Tc = 25°C)
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | ID=250μA, VGS=0V | - | - | 100 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=13.5A | - | 25 | 31 | mΩ |
    | 栅电荷 | Qg | VDS=80V, ID=34A, VGS=10V | - | 49 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 2230 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 85 | - | pF |

    产品特点和优势


    KU310N10D 具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:最高可达 31mΩ,确保低损耗和高效率。
    - 快恢复二极管:具有出色的雪崩特性和低 dv/dt,适合高频率应用。
    - 高可靠性:具备强大的单脉冲雪崩能力和重复雪崩能力,适应各种恶劣工作环境。
    - 优越的热管理:热阻较低,确保长期稳定运行。
    - 兼容性广泛:适用于多种应用场景,包括电池供电设备和工业控制。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流转换器:KU310N10D 用于直流电源转换器中,提升转换效率和减少发热。
    - 同步整流:通过降低导通电阻,减少损耗,提高电路的整体效率。
    - 负载开关:在电池供电设备中作为高效能负载开关,延长电池寿命。
    使用建议
    - 在设计时应考虑适当的散热措施,以防止过热影响器件性能。
    - 尽量减少栅极电荷的积累,避免对电路产生不必要的干扰。
    - 使用较低的栅极电压,确保稳定的开关性能和减少功耗。

    兼容性和支持


    KU310N10D 采用 DPAK 封装,兼容多种 PCB 设计。厂商提供详细的技术文档和设计支持,帮助用户进行系统集成和测试验证。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理过热问题?
    - 答:增加散热片或使用散热膏,并保持良好的空气流通。注意不要超过最高结温(150°C)。
    2. 问:栅极电荷过高如何处理?
    - 答:优化驱动电路,使用较低的栅极驱动电阻,减少栅极电荷的积累。
    3. 问:开关频率过高导致发热严重怎么办?
    - 答:调整电路设计,使用低 dv/dt 的二极管,减少发热。

    总结和推荐


    KU310N10D 是一款高性能、高效的 N-channel 沟槽式 MOSFET,特别适用于要求高效率和高可靠性的直流转换器和电池供电设备中的负载开关。其低导通电阻和快恢复二极管特性使得它成为市场上同类产品中的佼佼者。综上所述,我们强烈推荐 KU310N10D 在需要高效率和高可靠性的应用场合使用。

KU310N10D-RTF/H参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Rds(On)-漏源导通电阻 31mΩ@ 10V,13.5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 52W(Tc)
通道数量 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 27A
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252

KU310N10D-RTF/H厂商介绍

KEC公司是一家专注于电子元器件的制造商,主要生产和销售各类电子元件。KEC的产品分类包括但不限于:

1. 被动元件:如电阻、电容、电感等,广泛应用于电源管理、信号处理等领域。
2. 主动元件:如二极管、晶体管、集成电路等,用于电子设备的核心控制和信号放大。
3. 连接器和接口:用于电子设备之间的连接和数据传输。
4. 保护元件:如保险丝、浪涌保护器等,用于电路的过载保护。

KEC的产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、通信设备等多个领域。

KEC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,提升产品性能。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 供应链管理:优化供应链,保证产品的及时供应和成本效益。

KEC致力于为客户提供高质量的电子元件,以满足不断变化的市场需求。

KU310N10D-RTF/H数据手册

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KEC 场效应管(MOSFET) KEC KU310N10D-RTF/H KU310N10D-RTF/H数据手册

KU310N10D-RTF/H封装设计

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