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UF8010G-TA3-T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M--UF8010G-TA3-T TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF8010G-TA3-T

UF8010G-TA3-T概述

    UF8010G-TA3-T-VB 技术手册概述
    UF8010G-TA3-T-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的N沟道100-V MOSFET。它采用了TrenchFET®技术,具有高可靠性、宽工作温度范围以及符合RoHS标准等特点。本文将从产品特点、技术参数、使用建议、兼容性、常见问题解决方案等方面对这款产品进行全面解析。

    1. 产品简介


    UF8010G-TA3-T-VB 是一款N沟道MOSFET,主要特征包括:
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽栅极技术,提高器件的开关性能。
    - 最大结温为175°C:保证在高温环境下也能稳定运行。
    - 符合RoHS指令:确保符合环保标准,适用于绿色电子产品设计。
    - 封装形式:TO-220AB,常用于功率电路中的开关元件。

    2. 技术参数


    - 电压范围:漏源电压(VDS)最高可达100V。
    - 电流能力:连续漏电流(ID)在TJ = 150°C时为100A;脉冲漏电流(IDM)最高可达300A。
    - 热阻:自由空气下结到环境热阻(RthJA)为62.5°C/W;PCB安装下结到环境热阻(RthJA)为40°C/W。
    - 电阻特性:在VGS = 10V时,导通电阻(RDS(on))为0.009Ω;在VGS = 4.5V时,RDS(on)为0.020Ω。
    - 输入电容:Ciss在VGS = 0V, VDS = 25V时为4700pF。
    - 输出电容:Coss在相同条件下为665pF。
    - 反向传输电容:Crss为265pF。
    - 总栅极电荷:Qg在VDS = 50V, VGS = 10V, ID = 85A时为105至160nC。
    - 栅源电荷:Qgs为17nC。
    - 栅漏电荷:Qgd为23nC。

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:最大结温高达175°C,使其能在极端温度环境中稳定工作。
    - 低电阻:较低的导通电阻(RDS(on)),能够有效降低功耗并提升效率。
    - 快速开关:得益于低电容和低栅极电荷,适合高频应用。
    - 环境友好:符合RoHS标准,有助于减少环境污染。
    - 宽工作温度范围:可在-55°C到175°C的温度范围内正常工作,提高了适用性。

    4. 应用案例和使用建议


    UF8010G-TA3-T-VB 主要应用于需要大电流处理能力的电源管理模块中,如直流电机控制、电源转换电路和高频逆变器等。在实际应用中,以下几点建议可能有助于优化其性能:
    - 散热管理:确保在高温环境中良好的散热,避免因过热而导致损坏。
    - 驱动电路设计:合理选择栅极电阻以优化开关速度,同时避免过高电压冲击。
    - 电路布局:在电路板上尽量缩短引脚走线长度,减少杂散电感,提高整体效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:UF8010G-TA3-T-VB 与大多数标准的TO-220AB封装插槽兼容,可以轻松替换其他类似型号的产品。
    - 支持与维护:制造商提供了详细的技术文档和应用指南,客户可以通过服务热线400-655-8788获取技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理过高的漏源电压?
    - A: 确保系统设计时留有足够的安全余量,避免超过规定的漏源电压限制。
    - Q: 开关频率过高导致器件发热严重怎么办?
    - A: 优化驱动电路设计,降低开关损耗;增加散热措施,如使用散热片或散热器。
    - Q: 高温环境下性能不稳定如何解决?
    - A: 选择合适的封装材料,优化散热设计,确保在高温环境下也能稳定运行。

    7. 总结和推荐


    UF8010G-TA3-T-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种电力电子应用。其优异的热稳定性、低导通电阻和快速开关特性使其成为许多高要求场合的理想选择。推荐在需要高效、稳定工作的电源管理和电机控制系统中使用此产品。

UF8010G-TA3-T参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UF8010G-TA3-T厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF8010G-TA3-T数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF8010G-TA3-T UF8010G-TA3-T数据手册

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