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K3926-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。适用于高功率电子设备和模块,包括电源逆变器、高功率电机驱动器和电力供应系统等领域。TO220F;N沟道;VDS=250V;ID =40A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;
供应商型号: K3926-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3926-01MR-VB

K3926-01MR-VB概述

    K3926-01MR-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3926-01MR-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率应用设计。它具备低电阻和高电流处理能力,适用于开关电源、电机驱动、通信设备等多个领域。该器件采用 TO-220 FULLPAK 封装,提供表面贴装和通孔安装选项,适用于各种不同的电路板设计需求。

    技术参数


    - 关键参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 250 V
    - 最小门源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 V
    - 最大门源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 最大连续漏极电流 \( ID \): 40 A(在 25 °C)
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 150 A
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.040 Ω(在 \( V{GS} = 10 V \))
    - 门极总电荷 \( Qg \): 70 nC
    - 门极-源极电荷 \( Q{gs} \): 13 nC
    - 门极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 39 nC
    - 工作环境
    - 最大工作温度: 150 °C
    - 存储温度范围: -55 °C 至 150 °C
    - 高温焊接推荐: 峰值温度 300 °C,持续时间 10 秒

    产品特点和优势


    - 无卤素材料:符合 IEC 61249-2-21 标准,确保环境友好。
    - 快速开关:低 \( dV/dt \) 额定值,适合高频应用。
    - 完全雪崩额定值:增强可靠性和稳定性。
    - RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC。

    应用案例和使用建议


    K3926-01MR-VB 在多个高功率应用中表现卓越,如:
    - 开关电源:适用于需要高效率和快速响应的应用。
    - 电机驱动:适合驱动需要高电流和高电压的电机。
    - 通信设备:适用于电信设备中的电源转换。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免热累积导致器件损坏。
    - 考虑到高电流应用时,注意 PCB 设计以减少寄生电感。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种标准 PCB 和电路板设计。
    - 支持:提供详细的技术文档、规格书和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关频率过低。
    - 解决方案: 检查驱动电路,确保正确的门极充电。
    - 问题2: 温度过高。
    - 解决方案: 改善散热设计,增加散热片或外部风扇。
    - 问题3: 驱动信号不稳定。
    - 解决方案: 确保门极驱动信号质量,检查电源电压和接地。

    总结和推荐


    K3926-01MR-VB MOSFET 凭借其高性能、可靠的无卤素材料和广泛的应用范围,在高功率应用中表现出色。它特别适合要求高效率、快速响应和稳定性的应用场景。强烈推荐用于需要高可靠性、高性能和环保要求的应用场合。
    通过精心设计和严格的测试,K3926-01MR-VB 展现出了出色的性能和耐用性,是您项目中的理想选择。

K3926-01MR-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 40A
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3926-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3926-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3926-01MR-VB K3926-01MR-VB数据手册

K3926-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 9.1693
1000+ ¥ 8.7706
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型号 价格(含增值税)
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