处理中...

首页  >  产品百科  >  K27S60L-VB

K27S60L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K27S60L-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K27S60L-VB

K27S60L-VB概述

    # K27S60L-VB N-Channel Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K27S60L-VB 是一款高性能的 N 沟道超结功率 MOSFET,设计用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用 TO-247AC 封装,具有卓越的热性能和低导通电阻(RDS(on)),使其在服务器、通信设备、工业控制和可再生能源等领域表现出色。
    主要功能
    - 低栅极电荷(Qg)
    - 低输入电容(Ciss)
    - 超低反向恢复电荷(Qrr)
    - 高雪崩能量(UIS)
    应用领域
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正(PFC)电源
    - 照明系统(如高强度放电灯、荧光灯镇流器)
    - 工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、太阳能逆变器)

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.06 | - | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | 182 | - | 300 | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 5682 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 251 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 1 | - | pF |
    | 最大连续漏极电流 | ID | 47 | - | - | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | 142 | - | - | A |
    | 最高工作温度 | TJ | -55 | 25 | 150 | °C |

    产品特点和优势


    K27S60L-VB 的独特功能包括:
    - 低栅极电荷:显著减少开关损耗,提高能效。
    - 低输入电容:降低输入电容对电路的影响,提升响应速度。
    - 超低反向恢复电荷:适合高频应用,减少功耗。
    - 高雪崩能量:增强器件的可靠性,适合恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:K27S60L-VB 的高效率和低功耗特性使其成为服务器和电信设备的理想选择。
    - 太阳能逆变器:在光伏逆变器中,该器件可以有效降低开关损耗,提高系统的整体效率。
    使用建议
    - 优化散热设计:确保良好的散热管理,以充分发挥器件的性能。
    - 正确选择驱动电路:根据应用需求选择合适的驱动电路,以避免过压或过流现象。

    兼容性和支持


    K27S60L-VB 与其他主流电子元器件兼容良好,且 VBsemi 提供全面的技术支持和服务热线(400-655-8788),帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 改善散热设计,增加散热片 |
    | 开关频率不稳定 | 检查驱动电路,调整驱动信号参数 |
    | 导通电阻过大 | 检查工作条件,确保 VGS 足够高 |

    总结和推荐


    K27S60L-VB N-Channel Super Junction Power MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,非常适合需要高效能、低功耗的应用场景。其卓越的性能和广泛的应用范围使其在市场上具有很强的竞争力。推荐用户在高效率电源转换和开关应用中优先考虑此产品。

K27S60L-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 47A
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
栅极电荷 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K27S60L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K27S60L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K27S60L-VB K27S60L-VB数据手册

K27S60L-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 17.9399
100+ ¥ 16.611
500+ ¥ 15.2821
900+ ¥ 14.6177
库存: 30000
起订量: 5 增量: 300
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 89.69
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504