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2SK4107-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =15A;RDS(ON)=280mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在汽车电子系统中,该器件可用于电动汽车的功率逆变器和驱动器,以实现高效的能量转换和电动车辆的动力控制。
供应商型号: 2SK4107-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK4107-VB

2SK4107-VB概述

    产品概述

    产品简介


    本文将详细介绍一款型号为2SK4107-VB的N沟道600V超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET具备出色的开关特性和低损耗特性,广泛应用于多种电力电子系统中,如服务器和通信电源、开关模式电源、功率因数校正电源、照明控制及工业设备等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - VDS(漏源电压):600V
    - RDS(on)(导通电阻):0.23Ω(在VGS=10V时)
    - Qg(总栅极电荷):24nC
    - Qgd(栅极-漏极电荷):11nC
    - Qgs(栅极-源极电荷):6nC
    - 最大绝对额定值
    - VDS(漏源电压):600V
    - VGS(栅源电压):±30V
    - IDM(脉冲漏极电流):45A
    - EAS(单次脉冲雪崩能量):286mJ
    - 最大功耗PD:180W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C到+150°C
    - 热阻
    - 最大结-环境热阻:62°C/W
    - 最大结-外壳热阻:0.7°C/W

    产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg):24nC,确保快速开关且减小驱动损耗。
    - 低输入电容(Ciss):1640pF,降低驱动电路复杂度。
    - 低栅极-源极泄露(VGS):±100nA(VGS=±20V),提升可靠性。
    - 超低击穿电压(VDS):600V,确保高可靠性和耐压能力。
    - 低反向恢复时间(trr):325ns,减少开关过程中的能量损失。
    - 优良的雪崩耐受性(UIS):适用于严苛的应用环境。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 服务器和电信电源:适合高压直流电源转换应用,提供高效能输出。
    - 开关模式电源(SMPS):典型开关频率应用,减少能量损耗,提高效率。
    - 照明:特别是高强光放电灯(HID)和荧光灯球泡,提高照明系统的整体效能。
    - 工业设备:例如焊接设备、感应加热设备、电机驱动装置等,提升效率并降低成本。
    - 使用建议
    - 设计人员需要关注电路布局,避免寄生电感,减少开关损耗。
    - 考虑使用低泄漏电感器,优化电路设计以提高MOSFET的工作稳定性。
    - 避免超过规定的绝对最大额定值,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2SK4107-VB与现有的标准电路板和其他电子组件兼容,适用广泛。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持,包括详细的用户手册、技术文档以及售后服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下使用时,MOSFET发热严重。
    - 解决方案:通过散热片或者风扇增强散热效果,确保温度低于规定上限。

    - 问题:开机时出现不稳定现象。
    - 解决方案:检查电路连接和外部驱动器的正确设置,确认驱动信号的波形无误。

    - 问题:MOSFET过早失效。
    - 解决方案:仔细查看电路设计和器件选择,确保所有参数都在安全范围内操作。

    总结和推荐


    - 总结:2SK4107-VB是一款高性能、多功能的N沟道600V超级结功率MOSFET。它凭借其优异的电气特性和广泛的适用范围,在众多电力电子应用中表现出色。此外,它还具有较低的生产成本和良好的长期稳定性。
    - 推荐:鉴于其强大的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐在各种高效率电力电子应用中使用2SK4107-VB。对于任何需要高压、大电流和高可靠性的场景,2SK4107-VB无疑是最佳选择。

2SK4107-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 15A
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 280mΩ(mΩ)
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK4107-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK4107-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK4107-VB 2SK4107-VB数据手册

2SK4107-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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