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K20N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =15A;RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于各种电力电子模块,如逆变器、整流器和电源开关,可用于工业控制、电力传输和能源转换等领域。
供应商型号: K20N60-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K20N60-VB

K20N60-VB概述

    K20N60-VB N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET



    1. 产品简介



    K20N60-VB 是一款N沟道650V超级结功率MOSFET,具备低栅极电荷(Qg)、低输入电容(Ciss)等特性,适用于多种高压电源转换和控制场合。其主要功能包括高效率开关和降低损耗,特别适合于服务器、通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯球),以及工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电、可再生能源,特别是光伏逆变器)。


    2. 技术参数



    - 最大漏源电压 (VDS):700V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):25°C时为0.23Ω
    - 典型总栅极电荷 (Qg):24nC
    - 栅源电荷 (Qgs):6nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):11nC
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):45A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):286mJ
    - 最大功率耗散 (PD):180W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C


    3. 产品特点和优势



    K20N60-VB 的独特功能包括:
    - 低优值系数 (Ron x Qg)
    - 低输入电容 (Ciss),有助于减少开关和导通损耗
    - 极低的栅极电荷 (Qg),提高效率并减少热应力
    - 可重复性雪崩能量额定值 (UIS),确保可靠性
    - 适用于多种高压应用,具备高可靠性和高效能


    4. 应用案例和使用建议



    K20N60-VB 在多个领域有着广泛的应用:
    - 服务器和电信电源:提供高效的电源转换和管理。
    - 照明系统:用于高强度放电灯和荧光灯的控制。
    - 工业应用:如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电等。

    使用建议:
    - 高效散热设计:由于高功率耗散,需采用良好的散热设计,如热沉或风冷。
    - 适当的栅极驱动:确保栅极驱动电压和电阻符合规范,以避免损坏。
    - 测试验证:在实际应用前,进行充分的测试验证,确保所有参数符合要求。


    5. 兼容性和支持



    K20N60-VB 与市面上大多数标准接口兼容,且可通过VBsemi的服务热线(400-655-8788)获得技术支持和售后服务。


    6. 常见问题与解决方案



    - 问题:高温度下MOSFET失效。
    - 解决方案:加强散热措施,使用热沉或增加风扇冷却。
    - 问题:栅极驱动信号不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保驱动电压和电阻匹配MOSFET的要求。
    - 问题:在高频率下表现不佳。
    - 解决方案:检查电路布局,减小寄生电感,优化接地平面。


    7. 总结和推荐



    K20N60-VB N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET是一款高性能、高可靠性的MOSFET产品,适用于多种高压应用。其优秀的电气特性和低损耗使其在市场上具有很高的竞争力。我们强烈推荐使用这款产品来实现高效、可靠的电力转换和控制。

K20N60-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 15A
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K20N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K20N60-VB数据手册

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K20N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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900+ ¥ 10.2324
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