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K2767-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。\nTO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K2767-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2767-01-VB

K2767-01-VB概述

    N-Channel 900V Super Junction MOSFET K2767-01-VB

    1. 产品简介


    N-Channel 900V Super Junction MOSFET 是一种高性能的电子元件,适用于各种高电压应用。这款 MOSFET 集成了动态 dV/dt 评级、重复雪崩评级和快速开关功能,使其成为许多现代电力电子系统中的理想选择。产品主要用于开关电源、电机驱动器、工业控制设备和新能源系统等领域。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源阈值电压 | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 漏源击穿电压 | 900 | - | - | V |
    | 栅漏电荷 | - | 200 | - | nC |
    | 栅源电荷 | - | 24 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | - | 110 | - | nC |
    | 门极泄露电流 | - | - | ±100 | nA |
    | 漏极连续电流(25°C) | 5 | - | 3.9 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | - | - | 21 | A |
    | 反向恢复时间 | - | 50 | 980 | ns |
    | 正向转导时间 | - | - | - | - |
    | 节点到外壳热阻 | - | - | 40 | °C/W |
    | 节点到壳体热阻(单个管芯)| - | - | 0.65 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    这款 MOSFET 具备以下几个独特的功能和优势:
    - 动态 dV/dt 评级:具备出色的瞬态响应能力。
    - 重复雪崩评级:具有良好的可靠性和稳定性。
    - 快速开关:适用于高频操作。
    - 简单驱动要求:易于集成到现有电路中。
    - RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 指令,适合环保应用。

    4. 应用案例和使用建议


    该产品适用于多种应用场景,如开关电源、电机驱动器、光伏逆变器和 UPS 系统等。以下是一些使用建议:
    - 在设计开关电源时,确保散热设计合理以保证最佳性能。
    - 使用低杂散电感的 PCB 布局,减少内部寄生效应。
    - 优化驱动电路,降低栅极噪声。

    5. 兼容性和支持


    K2767-01-VB 与市场上常见的驱动芯片和其他组件兼容。厂商提供了全面的技术支持和客户服务,以确保客户能够顺利部署和维护设备。

    6. 常见问题与解决方案


    以下列出了几种常见的问题及其解决方法:
    - 问题: 开关频率过高导致过热。
    解决方法: 检查散热设计,并确保采用合适的散热材料。

    - 问题: 开关过程中的异常噪音。
    解决方法: 优化 PCB 布局,减少杂散电感。

    7. 总结和推荐


    K2767-01-VB N-Channel 900V Super Junction MOSFET 是一款性能卓越的产品,具有出色的可靠性和稳定性。它在多个应用领域中表现出色,尤其是在需要高功率和高频率的应用场景中。强烈推荐使用这款产品。
    联系服务热线:400-655-8788 了解更多详细信息。

K2767-01-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 5A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
通道数量 1
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2767-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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K2767-01-VB封装设计

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