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K40N30L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K40N30L-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K40N30L-VB

K40N30L-VB概述

    K40N30L-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K40N30L-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道超结功率MOSFET。该器件主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)、工业焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源(特别是太阳能光伏逆变器)等领域。其独特的超结设计使其具备极低的导通电阻和较高的耐压能力,从而减少了损耗并提升了效率。

    技术参数


    - 最大耐压:700V (VDS)
    - 静态参数
    - 最大栅源电压:±30V (VGS)
    - 漏极连续电流(TJ = 150°C):25°C时为47A,100°C时为30A
    - 单脉冲雪崩能量:1410mJ
    - 最大功耗:415W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 动态参数
    - 最大导通电阻:0.06Ω (RDS(on))
    - 最大输入电容:5682pF (Ciss)
    - 输出电容:251pF (Coss)
    - 有效输出电容(相关能量):192pF (Co(er))
    - 有效输出电容(时间相关):665pF (Co(tr))
    - 总栅极电荷:273nC (Qg)
    - 栅极-源极电荷:46nC (Qgs)
    - 栅极-漏极电荷:79nC (Qgd)

    产品特点和优势


    1. 低品质因子:Ron x Qg 低,实现了极低的导通损耗和开关损耗。
    2. 低输入电容:Ciss低,有利于降低开关损耗。
    3. 减少损耗:具有低栅极电荷和漏极电荷,有助于减少在高频应用中的损耗。
    4. 雪崩耐受能力:可承受高雪崩能量,确保可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:在这些应用场景中,K40N30L-VB可以有效提高电源转换效率,减少发热量。
    - 开关模式电源:适用于需要高频工作的场合,其低栅极电荷和高耐压能力能显著提升转换效率。
    - 工业应用:例如焊接、感应加热等需要高效且稳定运行的场景,这款MOSFET能够提供可靠的功率控制。
    使用建议:在设计电路时,确保散热设计合理,避免过热现象。此外,在频繁开关操作的应用中,应注意选择适当的栅极电阻值,以防止误导通和振荡现象的发生。

    兼容性和支持


    K40N30L-VB采用TO-247AC封装,易于安装和焊接。VBsemi公司提供了详尽的技术支持和售后服务,以确保客户在使用过程中能够获得及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何确定最佳栅极电阻?
    - A: 栅极电阻的选择应根据具体的应用条件进行调整。一般而言,栅极电阻的大小会影响开关速度和开关损耗,选择适当值可以有效减少损耗和发热。
    2. Q:如何判断是否达到最大功耗?
    - A: 通过测量管壳温度,并根据额定的热阻抗计算出功耗。当温度接近150°C时,需采取措施加强散热。
    3. Q:如何处理过压问题?
    - A: 通过在电路中增加合适的缓冲电路来吸收瞬态高压,保护MOSFET免受损坏。

    总结和推荐


    K40N30L-VB以其出色的性能和可靠性,广泛应用于各种高要求的应用场合。其低损耗、高可靠性的特点,使得它在众多竞争对手中脱颖而出。综合考虑,强烈推荐此款MOSFET用于需要高效率和高可靠性的应用项目中。

K40N30L-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 47A
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K40N30L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K40N30L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K40N30L-VB K40N30L-VB数据手册

K40N30L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 17.9399
100+ ¥ 16.611
500+ ¥ 15.2821
900+ ¥ 14.6177
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型号 价格(含增值税)
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