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K12P60W-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=650V;ID =11A;RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器、UPS逆变器等高压电源转换应用,提供稳定的功率转换和可靠的性能。
供应商型号: K12P60W-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K12P60W-VB

K12P60W-VB概述

    N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款高性能的功率开关器件,特别适用于需要高效能转换的应用场景。该器件的主要功能是实现高效电能转换,同时具有低导通电阻和低栅极电荷的特点。这款MOSFET广泛应用于多种领域,包括服务器和电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯)、工业应用等。

    2. 技术参数


    以下是该产品的技术规格和性能参数:
    - 最大耐压 (VDS):650 V(在最大结温条件下)
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):0.42 Ω(在25°C条件下,VGS=10V)
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为38 nC
    - 输入电容 (Ciss):680 pF(VGS=0V,VDS=100V,f=1 MHz)
    - 输出电容 (Coss):没有具体数值,但提供了相关说明
    - 反向转移电容 (Crss):没有具体数值,但提供了相关说明
    - 有效输出电容,能量相关 (Co(er)):63 pF
    - 有效输出电容,时间相关 (Co(tr)):113 pF
    - 栅源电荷 (Qgs):4 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):4.2 nC
    - 击穿电压 (VDS):温度系数ΔVDS/TJ 参考25°C时为-0.65 V/°C(ID=1 mA)
    其他参数还包括栅源阈值电压 (VGS(th))、零栅电压漏电流 (IDSS)、门输入电阻 (Rg) 等,详见手册。

    3. 产品特点和优势


    该产品具有以下几个显著特点和优势:
    - 低损耗:通过低栅极电荷 (Qg) 和低输入电容 (Ciss),减少了开关和导通损耗。
    - 高可靠性:超结结构提高了击穿电压 (VDS) 和电流处理能力。
    - 宽工作温度范围:从-55°C到+150°C,确保了在各种环境下的稳定性能。
    - 高重复脉冲电流能力:可承受高达132 mJ的单脉冲雪崩能量。

    4. 应用案例和使用建议


    这款MOSFET在多种应用场景中表现出色,例如:
    - 服务器和电信电源:用于高效的电源转换,提升系统整体效率。
    - 开关模式电源供应 (SMPS):作为关键部件进行电能转换,保证输出电压的稳定性和精度。
    - 工业应用:在各种工业环境中提供可靠的电能管理解决方案。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应注意合适的散热措施,以防止过热。
    - 选择合适的工作频率和驱动信号,以减少开关损耗。
    - 避免瞬态冲击过大,以免损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    该产品可以与标准的驱动电路和电源管理系统兼容,厂商提供了详细的技术支持文档和应用指南,以帮助客户更好地理解和使用该产品。此外,制造商还提供了相关的在线支持和技术咨询渠道,方便用户解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    根据手册中的常见问题列表,整理出几个用户可能会遇到的问题及解决方法:
    - 问题:如何选择合适的栅极电阻 (Rg)?
    - 解决方法:参考厂商提供的数据表,通常在10Ω~20Ω之间选取,以达到最佳的开关速度和稳定性。

    - 问题:在高湿度环境下工作时,器件会出现性能下降。
    - 解决方法:在设计中增加适当的防潮措施,如使用密封包装材料,并确保良好的通风条件。

    - 问题:出现异常高温。
    - 解决方法:检查散热片是否正确安装,以及是否有足够的冷却空气流动。

    7. 总结和推荐


    综上所述,N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET是一款性能优异、用途广泛的高性能MOSFET。其低损耗、高可靠性以及宽工作温度范围等特点使其成为众多应用的理想选择。我们强烈推荐该产品用于各种高要求的电能管理和转换应用中。

K12P60W-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 370mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 11A
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K12P60W-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K12P60W-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K12P60W-VB K12P60W-VB数据手册

K12P60W-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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