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VBE2251K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-250V;ID =-6A;RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1200mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;特性使其在多个领域的功率控制和电源管理模块中表现出色,为各种应用提供可靠的性能和高效的能源转换。
供应商型号: VBE2251K TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE2251K

VBE2251K概述

    # VBE2251K P-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    VBE2251K 是一款高性能 P-Channel 功率 MOSFET,由台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产。该产品采用先进的工艺技术制造,适用于多种高要求的应用场景。作为一款 P-Channel 器件,VBE2251K 具有高可靠性、快速开关特性和宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C),适用于直流电源转换、电机驱动、汽车电子等领域。
    主要功能
    - 高性能功率开关
    - 快速动态响应
    - 集成反向二极管,用于续流
    应用领域
    - 工业自动化
    - 汽车电子系统
    - 通信设备
    - 电源管理系统

    技术参数


    以下是 VBE2251K 的关键技术参数列表:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | -250 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | - | 2.0 | 4.0 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 1.0 | - | Ω |
    | 栅极电荷总量 | Qg | - | - | 38 | nC |
    | 门极到漏极电荷量 | Qgd | - | - | 18 | nC |
    | 内部体二极管电流 | IS | - | - | 4.1 | A |
    | 驱动能力 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    环境参数
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 脉冲持续时间:≤ 300 µs
    - 功耗限制:85 W

    产品特点和优势


    1. 先进工艺技术:采用最先进的半导体制造工艺,确保了出色的导通电阻和低损耗。
    2. 快速开关:具有卓越的开关速度,适合高频电路设计。
    3. 全雪崩额定值:能够在高电压下承受多次重复雪崩事件。
    4. 宽温域支持:能够在极端环境下稳定运行,尤其适合恶劣工业环境。
    5. 完全无铅封装:符合环保要求,满足 RoHS 和无卤标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机驱动电路:VBE2251K 可作为 H 桥电路中的上桥臂开关,实现高效能的电机控制。
    - 逆变器设计:适用于光伏逆变器中,提供高效率的能量转换。
    使用建议
    - 在选择栅极驱动时,应避免过高的栅极驱动电压以防止击穿。
    - 为降低开关损耗,可在 PCB 布局时尽量减少寄生电感和杂散电容。
    - 高温环境中应特别注意散热措施,确保结温低于最大允许值。

    兼容性和支持


    VBE2251K 支持与主流 P-Channel MOSFET 驱动器直接兼容。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详尽的文档下载、样品申请及现场技术支持。同时,公司承诺所有产品符合 RoHS 和无卤标准,便于环保型产品开发。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何防止器件过热?
    解决方法:确保良好的散热设计,如添加散热片或强制风冷。建议使用热阻较小的 PCB 板材。
    2. 问题:如何正确设置栅极驱动电压?
    解决方法:根据数据手册推荐,设置驱动电压在阈值电压之上,但不超过最大值(±20V)。
    3. 问题:在高温环境下是否会失效?
    解决方法:确保环境温度不超过 +150°C,必要时加入额外的冷却机制。

    总结和推荐


    VBE2251K P-Channel 功率 MOSFET 凭借其出色的性能、宽泛的工作条件和环保特性,成为许多高可靠性应用场景的理想选择。它的高开关频率能力和耐用性使其特别适合于电机控制、逆变器和工业自动化等领域。
    推荐指数:★★★★★
    该产品以其卓越的技术指标和广泛的应用场景,在同类产品中具备较强的市场竞争力。对于需要高效能、高可靠性的设计工程师来说,VBE2251K 是一个非常值得考虑的选择。

VBE2251K参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 250V
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω(mΩ)
Id-连续漏极电流 6A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
FET类型 2个P沟道
通道数量 1
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE2251K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE2251K数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE2251K VBE2251K数据手册

VBE2251K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
2500+ ¥ 3.6425
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