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K2099-01S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=250V;ID =17A;RDS(ON)=176mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;适用于中高功率电子设备和模块,包括电源转换器、电动机控制器和高功率LED驱动器等领域。
供应商型号: K2099-01S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2099-01S-VB

K2099-01S-VB概述


    产品简介


    本技术手册介绍的是VBsemi公司的一款N沟道功率MOSFET——K2099-01S。这款产品具有出色的动态dv/dt(电压变化率)额定值、重复雪崩额定值、快速开关能力和易于并联等特性,广泛应用于电力转换、电机驱动和电源管理等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS):250V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0~4.0V
    - 栅源漏电流 (IDSS): VDS = 250V时为25μA,VDS = 200V,TJ = 125°C时为250μA
    - 栅漏电容 (Coss): 330pF
    - 最大栅极充电量 (Qg): 68nC
    - 栅源充电量 (Qgs): 11nC
    - 栅漏充电量 (Qgd): 35nC
    - 关断延时时间 (td(off)): 53ns
    - 反向恢复时间 (trr): 250~500ns
    - 电气特性
    - 连续漏电流 (ID): 17A(TC = 25°C),11A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 56A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 550mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 17A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 13mJ
    - 工作环境
    - 操作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C ~ +150°C

    产品特点和优势


    K2099-01S N沟道MOSFET拥有动态dv/dt额定值和重复雪崩额定值,使得它能够承受高电压瞬变和强大的能量冲击。其快速开关能力确保了在高频应用中的高效性能,同时并联和驱动简单,降低了电路设计的复杂度。这些特性使它在电力电子系统中表现出色。

    应用案例和使用建议


    K2099-01S广泛用于电力转换和电源管理系统中。例如,在电动汽车充电桩的应用中,这款MOSFET能够有效处理高压快速变化的电流,提高系统的可靠性和效率。使用时,应确保散热良好以避免过热。在设计电路时,需要注意降低寄生电感和优化接地平面,以减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    根据手册提供的信息,K2099-01S与其他常见的电子元件如电容器和电阻器具有良好的兼容性。厂商提供了详细的规格和支持文档,确保用户可以轻松找到所需的帮助和资源。

    常见问题与解决方案


    - Q: 什么是重复雪崩额定值?
    - A: 重复雪崩额定值是指MOSFET能够安全承受的多次雪崩事件的能量,是衡量其抗压性能的重要指标。
    - Q: 如何正确选择驱动电阻 (Rg)?
    - A: 驱动电阻的选择应考虑MOSFET的开关时间和功耗。合适的驱动电阻值可以优化开关速度,降低功耗,但过高或过低都会影响MOSFET的性能。一般可以通过查阅相关图表来确定最佳值。

    总结和推荐


    综上所述,K2099-01S是一款性能优异、应用广泛的N沟道MOSFET。其出色的动态dv/dt额定值、快速开关能力和简易的驱动需求使其在众多电力电子应用中具备显著优势。对于需要高性能电力转换和电源管理系统的工程师来说,这是一款值得考虑的产品。强烈推荐在相关的电力电子应用中使用K2099-01S。

K2099-01S-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 176mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 17A
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2099-01S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2099-01S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2099-01S-VB K2099-01S-VB数据手册

K2099-01S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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