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K42S60L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K42S60L-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K42S60L-VB

K42S60L-VB概述

    K42S60L-VB N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K42S60L-VB 是一款 N-Channel 超级结功率 MOSFET(Super Junction Power MOSFET),适用于多种高要求的电源转换应用。该产品以其低栅极电荷(Qg)、低输入电容(Ciss)以及出色的开关性能而著称。K42S60L-VB 主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统、工业设备如焊接、感应加热、电机驱动以及可再生能源系统中的光伏逆变器等。

    技术参数


    以下是 K42S60L-VB 的关键技术规格:
    - 漏源电压(VDS): 700 V(TJ max)
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.06 Ω(VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷(Qg): 273 nC
    - 栅源电荷(Qgs): 46 nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 79 nC
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 1410 mJ
    - 连续漏极电流(ID): 47 A(TJ = 150 °C,TC = 25 °C)
    - 最大功耗(PD): 415 W
    - 存储和工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    K42S60L-VB 的显著优势包括:
    - 低栅极电荷(Qg) 和 低输入电容(Ciss) 有助于减少开关和传导损耗。
    - 卓越的开关性能,使其适用于高效率的电源设计。
    - 超低的栅极电荷,降低了驱动电路的能耗。
    - 高可靠性,能够在极端工作环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:K42S60L-VB 可用于高效率、高性能的电源系统中,以提高能效并降低散热需求。
    - 工业应用:例如焊接和感应加热,K42S60L-VB 能够提供稳定的电流控制和快速响应能力。
    - 光伏逆变器:该产品能够处理高电压和大电流,是太阳能发电系统的理想选择。
    使用建议:
    - 在使用过程中,应注意散热管理,确保产品在安全的工作温度范围内运行。
    - 针对高频应用,适当调整栅极电阻以优化开关时间。

    兼容性和支持


    - 封装形式:TO-247AC
    - 兼容性:与标准的 TO-247AC 封装兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持和维护:VBsemi 提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户能够获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温下出现过热问题。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如加装散热片或使用水冷系统。
    - 问题2:高频应用时出现明显的开关损耗。
    - 解决方案:适当调整栅极电阻,优化驱动信号,以降低开关损耗。

    总结和推荐


    K42S60L-VB N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 以其出色的性能、高可靠性和广泛的适用性,成为现代电源转换应用的理想选择。我们强烈推荐在需要高效、高可靠性电源解决方案的应用中使用该产品。

K42S60L-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 47A
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K42S60L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K42S60L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K42S60L-VB K42S60L-VB数据手册

K42S60L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 16.611
500+ ¥ 15.2821
900+ ¥ 14.6177
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型号 价格(含增值税)
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