处理中...

首页  >  产品百科  >  K3541PT-VB

K3541PT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT723-3;N沟道;VDS=20V;ID =0.65A;RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=337.5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=0.45V;常适合用于便携式电子设备的电源管理模块,如智能手机、平板电脑和便携式媒体播放器。这些设备要求低功耗和高效能,能够满足这些需求,提供稳定的电源管理。
供应商型号: K3541PT-VB SOT323-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3541PT-VB

K3541PT-VB概述

    K3541PT N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3541PT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,专为负载开关和直流转换器应用设计。该产品采用 TrenchFET® 技术,具有较低的导通电阻(RDS(on))和较高的电流承载能力,适用于便携式设备及其它需要高效能、低功耗的应用场合。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDS = 20 V
    - 最大连续漏极电流:ID = 0.9 A(TA = 25 °C),ID = 0.72 A(TA = 70 °C)
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 3.5 A
    - 最高温度:TJ, Tstg = -55°C 到 150°C
    - 热阻抗:RthJA = 120°C/W(瞬态),RthJF = 62°C/W(稳态)
    - 导通电阻:RDS(on) = 0.300Ω(VGS = 4.5 V,ID = 0.9 A),RDS(on) = 0.350Ω(VGS = 2.5 V,ID = 0.7 A)
    - 总栅极电荷:Qg = 1.9 nC(VDS = 10 V,VGS = 4.5 V,ID = 0.9 A)

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:低导通电阻保证了高效的电力传输。
    - 可靠性:100% RG 测试,符合RoHS标准。
    - 广泛应用:适用于负载开关、直流转换器等多种应用。
    - 环保:无卤素设计,符合IEC 61249-2-21标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 负载开关:如智能手机和平板电脑的电源管理模块。
    - 直流转换器:适用于需要高效率电源变换的电路。
    使用建议:
    - 确保在高温环境下适当散热,以避免因热应力导致的性能下降。
    - 使用合适的栅极电阻以优化开关速度和降低功耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于所有符合SOT-723封装标准的电路板。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够正确使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高导致设备失效。
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用散热片或热管。
    - 问题2:过高的栅极电压损坏MOSFET。
    - 解决方案:确保VGS不超过绝对最大值±12V。

    7. 总结和推荐


    总结:
    K3541PT N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 在便携式设备的负载开关和直流转换器应用中表现出色。其低导通电阻和高可靠性使其成为市场上的优选产品。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在便携式设备和需要高效率电源变换的电路中使用此产品。在使用过程中需要注意适当的散热措施和正确的栅极电压设置,以确保最佳的工作效果。

K3541PT-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 650mA
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 7.3mm*6.8mm*1.9mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3541PT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3541PT-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3541PT-VB K3541PT-VB数据手册

K3541PT-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
140+ ¥ 0.1945
300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
900+ ¥ 0.1657
库存: 400000
起订量: 140 增量: 300
交货地:
最小起订量为:140
合计: ¥ 27.23
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504