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WFU730-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: WFU730-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFU730-VB

WFU730-VB概述

    WFU730 N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    WFU730 是一种 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于需要高电压、低导通电阻的应用场合。它具有出色的电气特性和热特性,广泛应用于开关电源、电机驱动器和逆变器等领域。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.95Ω @ 10V VGS
    - 总栅极电荷 (Qg): 15nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 3nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 6nC
    - 配置: 单个
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 栅源电压 (VGS): ±30V
    - 持续漏电流 (ID): 5A @ 25°C, 4A @ 100°C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 120mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 205W @ 25°C
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): - °C/W
    - 最大结到壳体热阻 (RthJC): -
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650V @ ID = 250µA
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0V ~ 4.0V @ ID = 250µA
    - 栅源漏电流 (IGSS): ±100nA @ VGS = ±30V
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 320pF @ VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz
    - 输出电容 (Coss): 75pF
    - 反向传输电容 (Crss): -
    - 转导系数 (gfs): 8S @ VDS = 50V, ID = 2.5A

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 低栅极电荷 (Qg = 15nC) 可简化驱动要求,减少控制电路的复杂性。
    - 增强的鲁棒性: 改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 的鲁棒性。
    - 完全表征: 具备完全表征的电容和雪崩电压及电流特性。
    - 符合 RoHS: 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: WFU730 常用于高压开关电源、电机驱动器和逆变器等应用。例如,在一个典型的 500W 开关电源设计中,WFU730 可以作为关键的 MOSFET 开关组件,提供高效的电源转换。
    - 使用建议: 在选择散热器时,确保其能够承受最高结温(150°C)并符合标准的热阻要求。此外,确保电路布局尽可能降低寄生电感,以提高整体性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: WFU730 兼容多种封装形式,包括 TO-220AB、TO-252 和 TO-251,适用于不同的应用需求。
    - 支持: VBsemi 提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的安装指南和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: MOSFET 发热严重。
    - 解决方案: 检查散热系统是否正常工作,确保散热器符合要求,且电路布局合理。
    - 问题2: 开关过程中出现异常噪音。
    - 解决方案: 确认栅极驱动信号无误,检查 PCB 设计以减少寄生电感和电容的影响。
    - 问题3: MOSFET 寿命短。
    - 解决方案: 定期进行热测试和性能测试,确保工作温度不超过最大额定值,并保持良好的散热条件。

    7. 总结和推荐


    WFU730 N 沟道 MOSFET 具有出色的电气特性和鲁棒性,适用于各种高压和大功率应用。其低栅极电荷和完全表征的特性使其成为市场上极具竞争力的产品。因此,强烈推荐使用 WFU730 在高压开关电源、电机驱动器和逆变器等应用中。
    联系方式:
    服务热线:400-655-8788
    本技术手册旨在为用户提供详细的产品信息和技术规格,帮助用户更好地理解和使用 WFU730。如需进一步技术支持或购买,请联系我们的客户服务团队。

WFU730-VB参数

参数
配置 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 11.8mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFU730-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFU730-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFU730-VB WFU730-VB数据手册

WFU730-VB封装设计

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