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STB30NM50N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=500V;ID =30A;RDS(ON)=140mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于电动汽车电力系统、工业高压电源模块和太阳能逆变器等高功率电力和电子应用,为这些领域提供稳定可靠的功率开关功能,推动高功率应用领域的发展和应用。
供应商型号: STB30NM50N-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STB30NM50N-VB

STB30NM50N-VB概述

    产品概述

    产品简介


    STB30NM50N 是一款高性能的500V N沟道超级结MOSFET,采用D2PAK(TO-263)封装形式。该器件具有低导通电阻(RDS(on)),适用于硬开关拓扑结构、功率因数校正电源(PFC)和开关模式电源(SMPS)等应用领域。尤其在计算机(如PC银盒/ATX电源供应)和照明系统(如两阶段LED照明)中表现优异。

    技术参数


    - 电压范围: VDS最大为500V,在TJ max条件下。
    - 导通电阻: 在25°C时的最大导通电阻为0.115Ω(VGS = 10V)。
    - 总栅极电荷: 最大值为86nC(VGS = 10V,ID = 12A,VDS = 400V)。
    - 输入电容: Ciss最大为1980pF(VGS = 0V,VDS = 100V,f = 1MHz)。
    - 输出电容: Coss最大为105pF。
    - 反向传输电容: Crss最大为8pF。
    - 单脉冲雪崩能量: EAS最大为273mJ。
    - 最大功耗: PD最大为280W。
    绝对最大额定值
    - 栅源电压: ±30V。
    - 连续漏电流: TC = 25°C时为30A;TC = 100°C时为18A。
    - 脉冲漏电流: IDM最大为105A。
    - 存储和工作温度范围: TJ, Tstg为-55至+150°C。
    - 热阻: 最大结到环境的热阻RthJA为40°C/W;最大结到外壳(漏极)的热阻RthJC为0.5°C/W。

    产品特点和优势


    产品特点
    - 低栅极电荷(Qg):有利于降低开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容(Ciss):有助于减少栅极驱动所需的能量,加快开关速度。
    - 低体二极管正向电压(VSD):减少传导损耗,增强可靠性。
    - 重复性雪崩能量(EAS):确保器件在极端条件下的稳定性和耐用性。
    产品优势
    - 低导通电阻(RDS(on)): 保证高效率和低发热。
    - 高可靠性: 具备重复雪崩能力,适合高可靠性应用。
    - 紧凑设计: D2PAK封装形式使得器件体积小,易于安装。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关模式电源(SMPS):利用其低导通电阻和快速开关特性,可以显著提高电源转换效率。
    - 功率因数校正(PFC):通过减少损耗,提升能效和整体性能。
    - LED照明: 在两阶段LED照明系统中,确保高效的能量转换和良好的散热性能。
    使用建议
    - 在高频应用中,应选择适当的栅极电阻以控制上升时间。
    - 在高温环境中,应考虑使用散热片以降低器件的工作温度,延长使用寿命。

    兼容性和支持


    兼容性
    - STB30NM50N MOSFET与多种驱动电路兼容,能够与常见的PFC和SMPS控制器配合使用。
    支持和服务
    - 厂商提供全面的技术支持,包括产品规格说明、应用指南和技术文档等。
    - 通过全国服务热线400-655-8788获取更多技术支持和售后保障。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    - 问题: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案: 选择合适的散热器并合理布局电路板,确保良好的空气流通。

    - 问题: 雪崩击穿时损坏。
    - 解决方案: 确保电路设计符合雪崩耐受要求,选用合适的保护元件,如瞬态抑制二极管(TVS)。

    总结和推荐



    总结


    STB30NM50N是一款高性能的N沟道超级结MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性和高效能等特点。在各种应用场合,特别是电源管理和LED照明等领域,表现出色。
    推荐
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用前景,强烈推荐此款MOSFET用于需要高效率、低损耗和高可靠性的电力电子系统中。

STB30NM50N-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 30A
Vds-漏源极击穿电压 500V
通道数量 1
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

STB30NM50N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STB30NM50N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STB30NM50N-VB STB30NM50N-VB数据手册

STB30NM50N-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 10.7639
100+ ¥ 9.9666
500+ ¥ 9.1693
1000+ ¥ 8.7706
库存: 30000
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型号 价格(含增值税)
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