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LSD07N70-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=700V;ID =10A;RDS(ON)=390mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于LED照明驱动器和开关电源模块,以实现高效、可靠的LED照明系统。
供应商型号: LSD07N70-VB TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LSD07N70-VB

LSD07N70-VB概述

    N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET是一种先进的半导体功率器件,主要用于高效转换电能的应用。该MOSFET采用超级结结构,具有极低的导通电阻(RDS(on))和极低的栅极电荷(QG),从而降低了开关损耗和传导损耗。该产品主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各类照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)。

    技术参数


    以下是N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET的技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS):700 V
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on)):0.5 Ω (VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷(QG):38 nC (VGS = 10 V)
    - 输入电容(Ciss):680 pF
    - 输出电容(Coss):无特定数值
    - 反向转移电容(Crss):无特定数值
    - 有效输出电容(时间相关)(Co(tr)):113 pF
    - 反向恢复时间(trr):270 ns (TJ = 25 °C)
    - 反向恢复电荷(Qrr):3.3 μC
    - 绝对最大额定值:漏源电压(VDS)= 700 V,栅源电压(VGS)= ±30 V,连续漏极电流(TJ = 150 °C)= 10 A,脉冲漏极电流(TJ = 150 °C)= 30 A,最大单脉冲雪崩能量(EAS)= 132 mJ,最大功率耗散(PD)= 83 W (TC = 25 °C)

    产品特点和优势


    1. 低损耗:具备极低的RDS(on)和QG,减少了开关和传导损耗。
    2. 高可靠性:经过严格的测试和验证,适用于恶劣环境。
    3. 快速开关:得益于低Ciss和QG,能够在高频应用中实现快速开关。
    4. 高重复耐受能力:能够在重复条件下承受大电流冲击。

    应用案例和使用建议


    N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET在以下场景中表现出色:
    - 服务器和电信电源:能够满足高效率和高可靠性的需求。
    - 照明系统:如高强度放电灯和荧光灯,能够提供稳定的驱动能力。
    - 工业设备:适用于需要频繁启停的大功率电机控制。
    使用建议:
    - 在使用过程中注意散热设计,避免过热导致损坏。
    - 确保驱动电路设计合理,以减少驱动损耗。
    - 在高频应用中应注意匹配电感和电容,以避免振荡。

    兼容性和支持


    该产品与标准TO-220AB、TO-252封装兼容,适用于多种电路板安装。制造商提供详细的技术文档和专业的技术支持,帮助客户进行选型和设计。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的驱动电压?
    - 解决方案:根据具体应用场景,通常建议使用VGS=10V或更高的驱动电压,确保MOSFET工作在最佳状态。

    - 问题2:出现过高的温度,怎么办?
    - 解决方案:检查散热片是否安装良好,增加散热面积,确保良好的散热条件。

    总结和推荐


    N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适合在多种高要求的电力电子应用中使用。其优异的性能和稳定性使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
    通过以上内容,我们可以看到N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET不仅在技术参数上表现卓越,在实际应用中也展现出优秀的性能和可靠性。因此,它在电力电子领域的各种应用中都是一个值得信赖的选择。

LSD07N70-VB参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 700V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 390mΩ(mΩ)
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

LSD07N70-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LSD07N70-VB数据手册

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LSD07N70-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 5.7012
1000+ ¥ 5.4637
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