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K3906-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: K3906-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3906-VB

K3906-VB概述

    # K3906-VB 600V N-Channel Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3906-VB 是一款由 VBsemi 生产的高性能 600V N-Channel Super Junction MOSFET。该产品主要用于各种电源管理和转换应用中,例如电信电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)、消费类电子产品和计算机电源、工业焊接设备、电池充电器、可再生能源逆变器以及开关模式电源供应(SMPS)系统。其关键特性包括低反向恢复时间(trr)和低反向恢复电荷(Qrr),以及超低栅极电荷(Qg)和高雪崩能量(UIS)。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 600 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 开启状态电阻 | RDS(on) | - | 0.19 | - | Ω |
    | 栅极电荷 | Qg | - | 71 | 106 | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 2322 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 4 | - | pF |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | - | 1.2 | - | μC |
    | 重复脉冲雪崩能量 | EAS | 367 | - | mJ |
    | 线性降额因子 | - | - | 1.7 | W/°C |
    | 额定工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +150 | °C |

    产品特点和优势


    K3906-VB 的主要特点包括:
    - 低反向恢复时间和电荷:显著降低了损耗,提高了系统的效率和可靠性。
    - 低栅极电荷:优化了开关性能,减少了驱动功耗。
    - 低输入电容:有助于提高系统的响应速度和效率。
    - 高雪崩能量:保证了在极端工作条件下的可靠性。
    这些特性使得 K3906-VB 在需要高效能和可靠性的应用中表现优异,具备很强的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K3906-VB 广泛应用于以下领域:
    - 电信设备:服务器和通信电源。
    - 照明设备:高强度放电灯和荧光灯的驱动电路。
    - 消费类和计算设备:ATX 电源适配器。
    - 工业设备:焊接设备和电池充电器。
    - 可再生能源:光伏逆变器。
    - 电源管理系统:开关模式电源(SMPS)。
    使用建议
    为了确保最佳性能和使用寿命,建议如下:
    - 散热设计:合理设计散热片,确保在高电流和高温环境下稳定运行。
    - 栅极驱动电路:选用合适的栅极驱动器,以避免过高的栅极电压导致损坏。
    - 保护措施:添加必要的保护电路,如钳位二极管,防止浪涌电流对器件造成损害。

    兼容性和支持


    K3906-VB 可与多种标准电源管理 IC 和控制器兼容。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持,包括详细的应用指南和样品测试板。此外,厂商还提供电话和技术支持服务,帮助客户解决问题并优化设计方案。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何避免栅极过度驱动?
    2. 为什么器件会发热?
    解决方案
    1. 使用合适的栅极驱动器,并设置适当的限流电阻以限制电流。
    2. 加强散热设计,确保器件在高负载时能够有效散热,必要时可以增加散热片或风扇。

    总结和推荐


    综上所述,K3906-VB 是一款高性能的 N-Channel Super Junction MOSFET,在诸多方面表现出色,适用于多种高要求的应用场合。其出色的性能、可靠的品质以及良好的支持体系使其成为市场上的佼佼者。因此,强烈推荐此款产品用于需要高效率和高可靠性的应用场景中。

K3906-VB参数

参数
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 20A
FET类型 2个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3906-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3906-VB数据手册

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K3906-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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