处理中...

首页  >  产品百科  >  K1983-01-VB

K1983-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。\nTO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K1983-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1983-01-VB

K1983-01-VB概述

    K1983-01-VB N-Channel 900V Super Junction MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K1983-01-VB 是一款N沟道900V超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值、隔离中央安装孔、快速开关、并联容易、驱动需求简单等特点。它符合RoHS指令2002/95/EC,适用于高电压、高效率的应用场合,如电源转换、电机控制、工业自动化等领域。

    2. 技术参数


    以下是K1983-01-VB的主要技术参数:
    - 漏源电压 (VDS):900V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):在TC = 25°C时为25A,在TC = 100°C时为3.9A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):21A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):770mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):7.8A
    - 重复雪崩能量 (EAR):19mJ
    - 最大功率耗散 (PD):在TC = 25°C时为190W
    - 峰值二极管恢复dv/dt (dV/dt):2.0V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C至+150°C
    - 焊接温度推荐 (峰值温度):对于10秒峰值时间为300°C
    - 安装扭矩:6-32或M3螺钉,10 lbf·in(1.1 N·m)

    3. 产品特点和优势


    - 动态dv/dt额定值:提高可靠性,减少电磁干扰。
    - 重复雪崩额定值:增强耐压能力,延长使用寿命。
    - 隔离中央安装孔:方便散热,提升安装稳定性。
    - 快速开关:减少开关损耗,提高效率。
    - 易于并联:简化电路设计,提高系统灵活性。
    - 简单的驱动要求:降低驱动复杂度,节省成本。
    - RoHS合规:环保材料,满足国际标准。

    4. 应用案例和使用建议


    K1983-01-VB 可广泛应用于各种高电压电力转换和控制系统中。例如,在工业电源转换器中,它可以作为主开关器件,提供高效的电能转换。在电机驱动系统中,它能够快速响应并提供稳定的电流输出。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应考虑散热措施,以确保MOSFET的正常工作。
    - 驱动电路设计时,应选择合适的驱动电阻,以实现快速开关和低功耗。
    - 并联使用时,应确保各MOSFET之间的匹配,以均衡电流分布。

    5. 兼容性和支持


    K1983-01-VB 与大多数标准的电源转换器和电机驱动控制器兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括产品手册、应用指南和技术支持热线(400-655-8788)。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确安装K1983-01-VB?
    - 解决方案:遵循手册中的安装扭矩建议,使用合适的螺钉固定MOSFET,并确保安装面平整。

    - 问题2:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决方案:根据手册中的驱动要求,选择适当的驱动电阻,以确保快速开关和低功耗。

    - 问题3:如何处理过高的温度?
    - 解决方案:增加散热片或使用外部风扇进行强制冷却,确保MOSFET的工作温度在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    K1983-01-VB N-Channel 900V超级结MOSFET是一款高性能的电力转换器件,具有出色的电气特性和可靠性。其独特的设计使其在高电压、高效率的应用中表现出色。强烈推荐在需要高效、可靠的电力转换和控制系统中使用此产品。

K1983-01-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 900V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1983-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1983-01-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1983-01-VB K1983-01-VB数据手册

K1983-01-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 68.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831