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UT70P03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;P沟道;VDS=-30V;ID =-100A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-3V;可以用作开关电源中的功率开关器件
供应商型号: UT70P03-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT70P03-VB

UT70P03-VB概述

    电子元器件产品技术手册解析

    1. 产品简介


    P-Channel 30 V (D-S) MOSFET(N沟道30V MOSFET) 是一种用于开关电源和其他电力控制电路中的电子元器件。该产品采用P沟道设计,适用于高达30伏特的工作电压,具有良好的导电能力和低电阻特性,广泛应用于通信设备、工业控制系统及汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    以下是该MOSFET的关键技术参数:
    - 额定电压(VDS): 30V
    - 连续漏极电流(TC = 25°C): 100A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 300A
    - 栅极-源极电压(VGS): ±20V
    - 最大功率耗散(TC = 25°C, TO-220AB 和 TO-263): 187W
    - 热阻抗(Junction-to-Ambient, PCB Mount, TO-263): 40°C/W
    - 静态特性
    - 导通电阻(RDS(on),VGS=-10V,ID=-30A): 0.004Ω
    - 门阈电压(VGS(th)): -1V ~ 3V
    - 零栅压漏电流(IDSS,VDS=-30V,VGS=0V): -1μA
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss,VGS=0V,VDS=-25V,f=1MHz): 8000pF
    - 输出电容(Coss,VDS=-25V): 1565pF
    - 反向传输电容(Crss,VDS=-25V): 715pF

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:符合RoHS标准,无铅化封装,确保环保安全。
    - 低导通电阻:导通电阻仅为0.004Ω,有助于降低损耗和提高效率。
    - 强耐温性:工作温度范围宽达-55°C至175°C,适合各种恶劣环境。
    - 优秀的瞬态响应:得益于低栅极电容和低栅极-源极电荷,提供了更快的开关速度和更小的延迟时间。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 通信设备:在高密度开关电源模块中作为主控MOSFET使用。
    - 工业控制系统:在电机驱动系统中作为开关器件,实现高效稳定的电流控制。
    - 汽车电子:用于电池管理系统中,作为电池充电和放电控制的开关。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应确保散热良好,以避免过热导致的失效。
    - 设计时应考虑门极驱动电路,以减少开关损耗并提高整体效率。
    - 高温环境下使用时,应注意降额使用,避免超过最大允许电流。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:本产品支持多种封装形式,如TO-220AB和TO-263,可以方便地与其他常见电子元器件集成。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的产品文档、应用指南和技术咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:产品工作时发热严重?
    - A:确保良好的散热设计,可使用散热片或其他冷却装置帮助散热。
    - Q:产品在高温下工作不稳定?
    - A:根据数据手册中的温度特性,在高温环境下应适当降额使用。
    - Q:产品出现击穿现象?
    - A:检查电路设计是否合理,避免瞬间过压情况的发生。

    7. 总结和推荐


    总体而言,这款P-Channel 30V MOSFET凭借其优异的性能参数、宽广的工作温度范围和广泛的适用性,是一款非常值得推荐的电子元器件产品。无论是通信设备、工业控制还是汽车电子领域,它都能发挥出色的作用,为用户提供高效可靠的解决方案。

UT70P03-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ(mΩ)
FET类型 2个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT70P03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT70P03-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT70P03-VB UT70P03-VB数据手册

UT70P03-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
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500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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