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K3936-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: K3936-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3936-VB

K3936-VB概述

    # K3936-VB N-Channel 600V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3936-VB 是一款高性能的N通道600V超结MOSFET(N-Channel 600V Super Junction MOSFET),由VBsemi公司设计和生产。它主要用于电源管理、通信、工业控制及可再生能源等领域。该产品通过优化的结构设计,在降低开关损耗、提高能效的同时保持极低的导通电阻(RDS(on)),使其成为高效率电源转换应用的理想选择。
    主要功能与应用领域:
    - 功能:快速开关、低损耗、低栅极电荷。
    - 应用领域:
    - 电信:服务器和通信电源。
    - 照明:高强度放电灯(HID)及荧光灯电子镇流器。
    - 消费电子与计算:ATX电源。
    - 工业:焊接设备及电池充电器。
    - 可再生能源:光伏逆变器。
    - 开关模式电源(SMPS)。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(最大TJ时)| VDS | 600 V |
    | 导通电阻(25℃下) | RDS(on) 0.19 Ω |
    | 输入电容 | Ciss 2322 pF |
    | 输出电容 | Coss 105
    | 反向传输电容 | Crss 4 pF |
    | 总栅极电荷 | Qg 71 | 106 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs 14 nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd 33 nC |
    绝对额定值
    - 漏源电压:600V
    - 栅源电压:±30V
    - 连续漏电流(TJ=150℃):13A @ 25℃,0A @ 100℃
    - 单脉冲雪崩能量:367mJ
    - 最大功率耗散:208W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    K3936-VB 在多个方面表现出色,具有以下显著特点和优势:
    1. 高效节能:得益于超结技术,漏源导通电阻低且开关速度快,有效减少功率损耗。
    2. 快速开关性能:栅极电荷低(Qg),显著降低了驱动电路的功耗。
    3. 高可靠性:单脉冲雪崩能量高达367mJ,适合高电压高频工作环境。
    4. 广泛适用性:适用于多种高要求场景,如服务器电源、太阳能逆变器等。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 通信领域:作为服务器电源模块中的核心组件,用于整流桥及DC-DC变换器中。
    - 工业应用:焊接电源中实现高效快速的电流调节。
    - 新能源:在光伏逆变器中,K3936-VB负责高效的直流-交流转换。
    使用建议:
    - 优化驱动电路:确保驱动信号稳定并提供适当的门极电阻以防止过高的dv/dt。
    - 散热设计:利用良好的热管理系统(如散热片或风扇)避免因高温导致性能下降。

    兼容性和支持


    K3936-VB 采用标准TO-3P封装形式,可直接替换同类产品。VBsemi公司提供全面的技术支持和服务,包括样品申请、产品测试及定制化解决方案。此外,所有产品符合RoHS标准,并满足无卤素要求。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常噪声 | 确保电路布局合理,减少寄生电感和寄生电容。 |
    | 产品过热 | 改善散热设计,检查风扇或散热片是否正常工作。 |
    | 驱动波形失真 | 调整门极电阻阻值至推荐范围,并优化驱动电路。|

    总结和推荐


    K3936-VB N-Channel 600V Super Junction MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件,非常适合现代电力电子应用需求。其卓越的开关特性和较低的功耗使其成为众多高要求领域的理想选择。如果您正在寻找能够提升系统效率的产品,强烈推荐此款MOSFET。

K3936-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3936-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3936-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3936-VB K3936-VB数据手册

K3936-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 12.2257
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