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KHB9D0N90F1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =7A;RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该器件的高电压和高电流特性使其非常适合用于电动车充电器中的功率开关,用于控制充电过程中的电流和电压,实现快速、高效的充电。
供应商型号: KHB9D0N90F1-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB9D0N90F1-VB

KHB9D0N90F1-VB概述

    KHB9D0N90F1 N-Channel Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    KHB9D0N90F1 是一款由台湾VBsemi公司生产的高性能N沟道超级结功率MOSFET。这款产品专为高效率开关应用设计,适用于电源转换、电机驱动和其他需要高可靠性与高性能的应用场合。其核心特点是其出色的动态dv/dt耐量、重复雪崩耐量和快速开关能力,使其在严苛的环境中也能稳定运行。

    2. 技术参数


    以下是KHB9D0N90F1 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 900 | V |
    | 门源电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | ID 5.5 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 21 | A |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA 40 | °C/W |
    | 雪崩能量(单脉冲) | EAS 770 | mJ |
    | 雪崩电流(重复脉冲) | IAR 7.8 | A |
    | 雪崩能量(重复脉冲) | EAR 19 | mJ |
    | 最大功耗 | PD 65 | W |
    | 最大峰值反向恢复电压 | dV/dt 2.0 | V/ns |

    3. 产品特点和优势


    KHB9D0N90F1 的主要特点和优势如下:
    - 动态dv/dt耐量:能够在高频率下稳定工作,减少EMI干扰。
    - 重复雪崩耐量:具备较高的安全操作区域(SOA),适合高能应用。
    - 隔离中央安装孔:方便散热,提高可靠性。
    - 快速开关:降低开关损耗,提高系统效率。
    - 易于并联:简化电路设计,提高系统的可扩展性。
    - 简单的驱动要求:减少了外部驱动电路的需求,降低成本。

    4. 应用案例和使用建议


    KHB9D0N90F1 主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。在这些应用场景中,其高效稳定的性能可以显著提升系统的整体性能。例如,在开关电源设计中,可以采用低栅极电荷(Qg)特性,从而减少开关过程中的能量损失,提高转换效率。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应确保电路布局尽可能减小寄生电感,以提高系统的整体性能。
    - 选择合适的栅极电阻(Rg),以平衡开关速度和EMI控制。
    - 使用散热良好的安装结构,以保持结温在安全范围内。

    5. 兼容性和支持


    KHB9D0N90F1 与市场上常见的驱动电路和电源模块兼容,适用于各种类型的电路设计。此外,VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册、在线技术支持和专业工程师咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:系统出现过热现象。
    解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或者风扇以提高散热效果;确保引脚焊接牢固,避免热接触不良。
    问题2:系统运行时噪音较大。
    解决方案:检查栅极电阻设置是否合适,调整栅极电阻(Rg)以平衡开关速度和EMI控制;考虑使用EMI滤波器进一步抑制噪音。
    问题3:驱动电流不足。
    解决方案:确认驱动电路的设计是否合理,检查电源供应是否稳定;考虑增加驱动电路的供电能力。

    7. 总结和推荐


    KHB9D0N90F1 是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,具有出色的动态dv/dt耐量、重复雪崩耐量和快速开关能力。其在多种应用场合中表现出色,能够显著提高系统的效率和稳定性。因此,强烈推荐KHB9D0N90F1用于高可靠性和高性能需求的应用项目。
    服务热线:400-655-8788
    了解更多详情,请访问 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

KHB9D0N90F1-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 770mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 900V
配置 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB9D0N90F1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB9D0N90F1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB9D0N90F1-VB KHB9D0N90F1-VB数据手册

KHB9D0N90F1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
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