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VBM15R30S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=500V;ID =30A;RDS(ON)=140mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;
供应商型号: VBM15R30S TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM15R30S

VBM15R30S概述

    # 电子元器件产品技术手册解析:VBM15R30S N-Channel Super Junction MOSFET

    产品简介


    VBM15R30S 是一款高性能的 N 沟道 500V(漏极到源极)超级结 MOSFET,广泛应用于硬开关拓扑结构和电源管理系统中。作为高效能半导体器件,它特别适用于功率因数校正电源(PFC)、开关模式电源(SMPS)以及计算和照明领域的两阶段 LED 照明系统。其核心优势在于低导通电阻(RDS(on))和高可靠性设计,适合严苛的工作环境。
    主要功能:
    - 高效开关性能
    - 支持高功率密度应用
    - 超低栅极电荷(Qg)
    - 强大的抗雪崩能力(UIS)
    应用领域:
    - 硬开关拓扑(如逆变器、DC-DC 转换器)
    - 功率因数校正(PFC)
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 计算机电源(PC 银盒/ATX 电源)
    - LED 照明

    技术参数


    以下是 VBM15R30S 的关键技术和性能指标:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压(VDS) | - | 500 | - | V |
    | 栅极-源极阈值电压(VGS(th)) | 2.0 | 4.0 | - | V |
    | 栅极-源极漏电流(IGSS) | - | - | ±100 | nA |
    | 栅极-源极充电量(Qg) | - | 57 | 86 | nC |
    | 栅极-漏极充电量(Qgd) | - | 25 | - | nC |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | 0.115 | - | Ω |
    | 最大雪崩能量(EAS) | - | - | 273 | mJ |
    | 最大耗散功率(PD) | - | - | 280 | W |
    工作环境:
    - 工作温度范围:-55 至 +150°C
    - 最大结温(TJ):150°C
    - 推荐焊接温度(峰值):300°C(持续 10 秒)

    产品特点和优势


    VBM15R30S 以其独特的性能优势在同类产品中脱颖而出:
    1. 低导通电阻:典型值仅为 0.115 Ω,有助于减少导通损耗。
    2. 低输入电容:输入电容(Ciss)为 1980 pF,可有效降低开关损耗。
    3. 高雪崩耐受能力:重复额定雪崩能量(EAS)达 273 mJ,保证器件在极端条件下的可靠性。
    4. 快速开关特性:典型的开关延迟时间(td(on))为 19 ns,上升时间为 36 ns。
    5. 高热阻抗:结到环境热阻(RthJA)最大为 40°C/W,便于散热设计。

    应用案例和使用建议


    VBM15R30S 在以下典型场景中表现优异:
    场景一:功率因数校正(PFC)
    在功率因数校正电路中,VBM15R30S 的低导通电阻和快速开关特性可显著提高整体效率。建议配合较低阻值的驱动电阻(如 Rg=25Ω),以进一步降低开关损耗。
    场景二:LED 驱动电源
    用于两阶段 LED 照明时,VBM15R30S 可实现高效的电流调节和低纹波输出。推荐结合 PCB 设计优化,减少寄生电感和噪声干扰。
    使用建议:
    - 建议采用散热片以提高散热效率。
    - 注意驱动信号的设计,避免过高的 dV/dt 导致误导通。

    兼容性和支持


    VBM15R30S 采用 TO-220AB 封装,具有良好的通用性,可直接替换市场上常见的同类产品。制造商提供全面的技术支持,包括:
    - 免费技术咨询
    - 详尽的应用文档
    - 定制化解决方案

    常见问题与解决方案


    以下为使用过程中可能遇到的问题及其解决方法:
    1. 问题:器件发热严重。
    解决方案:增加散热片面积,优化电路布局,减少寄生电感。
    2. 问题:开关速度过慢。
    解决方案:降低驱动电阻值(如 Rg=9.1Ω),改善驱动信号质量。
    3. 问题:雪崩击穿现象。
    解决方案:确保器件接收到的浪涌电压不超过额定值(273 mJ)。

    总结和推荐


    VBM15R30S 作为一款高性能 N 沟道超级结 MOSFET,在功率管理领域展现出卓越的性能和可靠性。其核心优势包括低导通电阻、高雪崩耐受能力和快速开关特性,使其成为硬开关拓扑、PFC 和 LED 驱动等高功率密度应用的理想选择。结合良好的技术支持和广泛的兼容性,我们强烈推荐此产品给需要高效能电源解决方案的客户。
    综合评价:★★★★★
    推荐指数:非常高
    联系服务热线:400-655-8788 获取更多详细信息和支持!

VBM15R30S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ(mΩ)
FET类型 2个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 30A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM15R30S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM15R30S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM15R30S VBM15R30S数据手册

VBM15R30S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 9.7175
100+ ¥ 8.9977
500+ ¥ 8.2779
1000+ ¥ 7.9179
库存: 400000
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