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6R099A-VB TO247

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 6R099A-VB TO247 TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R099A-VB TO247

6R099A-VB TO247概述


    产品简介


    6R099A-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道超级结功率MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg),适用于多种电源转换及工业应用。这款MOSFET的额定电压为650V,能够在高功率环境中稳定运行。主要功能包括低输入电容(Ciss)、低开关损耗和传导损耗,使其特别适合于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、高强度放电灯(HID)和荧光灯照明系统,以及工业焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器和可再生能源系统如光伏逆变器等应用。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 额定电压 VDS | 650V |
    | 最大漏源电压 VDS | 700V @ TJ max |
    | 导通电阻 RDS(on) | 0.06Ω @ VGS = 10V, TJ = 25°C |
    | 栅极电荷 Qg | 273nC @ VGS = 10V |
    | 栅极-源极电荷 Qgs| 46nC |
    | 栅极-漏极电荷 Qgd| 79nC |
    | 最大脉冲漏电流 IDM| 142A |
    | 绝对最大耐受温度 TJ, Tstg | -55°C 至 +150°C |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:这款MOSFET具有非常低的栅极电荷(Qg),可以显著降低开关损耗。
    2. 低输入电容:低输入电容(Ciss)有助于减少寄生效应,提高整体效率。
    3. 高可靠性:具有1410mJ的单脉冲雪崩能量(EAS),确保在高压条件下的稳定运行。
    4. 高频率操作:由于具备较低的输入和输出电容,能够在高频环境下操作。
    5. 良好的热管理能力:最大功率耗散为415W,同时热阻抗也相对较低,方便散热。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 用于服务器和电信电源系统,提供高效的电力转换。
    - 在焊接和感应加热系统中,提供稳定的功率输出,特别是在电机驱动和可再生能源系统如光伏逆变器的应用中表现出色。
    使用建议
    - 在高功率系统中使用时,确保电路板设计中有足够的散热措施以防止过热。
    - 考虑到栅极电荷较低,可以在设计驱动电路时采用低阻抗的驱动源以提高开关速度。

    兼容性和支持


    该产品具有出色的兼容性,可以无缝集成到现有的电源设计中。厂商提供了详细的技术支持文档和客户服务中心,随时解答用户的疑问并提供必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何测试该MOSFET的雪崩能量(EAS)?
    答:通过设计专门的测试电路来测量单脉冲雪崩能量,通常需要一个可控的高电压源和精确的电流监测装置。
    2. 问:当MOSFET长时间运行在高温环境下时,如何避免过热?
    答:增加散热片或使用强制风冷措施,确保散热路径畅通无阻,尽量保持工作温度在安全范围内。

    总结和推荐


    总体而言,6R099A-VB是一款高性价比、高效能的N沟道超级结功率MOSFET,适用于各种高要求的电源转换应用。其卓越的开关性能和高可靠性使其成为服务器和工业领域的理想选择。鉴于其多功能性和市场竞争力,强烈推荐给需要高性能电源转换解决方案的用户。

6R099A-VB TO247参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 47A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

6R099A-VB TO247厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R099A-VB TO247数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R099A-VB TO247 6R099A-VB TO247数据手册

6R099A-VB TO247封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 15.2821
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