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K2698-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: K2698-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2698-VB

K2698-VB概述

    # K2698-VB N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    K2698-VB 是一款高性能 N 沟道增强型 500V(D-S)超级结功率 MOSFET,专为高效率开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率开关及硬开关高频电路设计而开发。产品具有极低的导通电阻(RDS(on)),出色的开关性能以及优异的门极电荷(Qg),可显著降低驱动需求并提高系统效率。
    主要功能
    - 超低门极电荷 Qg,简单驱动要求;
    - 优秀的门极、雪崩及动态 dv/dt 耐久性;
    - 完全标定的电容和雪崩电压电流特性;
    - 超低导通电阻 RDS(on),适合高效能应用;
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,绿色环保。
    应用领域
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)
    - 高速功率开关应用
    - 硬开关和高频电路

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源击穿电压 | VGS | -30 | - | +30 | V |
    | 栅源漏击穿电压 | VDS | - | - | 500 | V |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 导通状态电阻 | RDS(on) | - | 0.080 | - | Ω |
    | 漏极连续电流(TC=25°C) | ID | - | 40 | - | A |
    | 冷却后脉冲漏极电流(TC=100°C) | IDM | - | 180 | - | A |
    | 雪崩能量(单脉冲) | EAS | - | 910 | - | mJ |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +150 | °C |

    产品特点和优势


    独特功能与优势
    - 极低 RDS(on):导通电阻仅为 0.080Ω(典型值),极大降低了功耗。
    - 高可靠性:优秀的门极和雪崩耐久性使其适用于恶劣环境下的应用。
    - 简化驱动电路设计:得益于极低的门极电荷 Qg,减少了驱动器的设计复杂度。
    - 宽广的工作温度范围:从 -55°C 到 +150°C 的宽温工作能力,适合严苛的工业场景。
    市场竞争力
    K2698-VB 在高效能电力转换领域表现出色,适用于多种工业级电源设备。相比同类产品,其卓越的开关性能和低功耗使其成为替代传统功率器件的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    1. 开关电源(SMPS):作为初级开关管,通过快速响应和高效能的导通电阻实现更高效率的电压转换。
    2. 不间断电源(UPS):提供稳定的直流输入输出,减少系统损耗,提升能源利用率。
    使用建议
    - 散热管理:由于其高功率密度特性,需要良好的散热设计,以避免因过热导致的性能下降或损坏。
    - 驱动器匹配:确保驱动器输出电流和电压符合器件的门极驱动要求,避免栅极击穿问题。
    - PCB布局优化:在 PCB 布局中,减少寄生电感和寄生电阻,可以进一步提高器件的稳定性和抗干扰能力。

    兼容性和支持


    兼容性
    K2698-VB 与多种主流封装形式兼容,例如 Super-247 封装,便于集成到现有设计中。同时,其工作条件与多种主流电源管理芯片兼容,广泛应用于开关电源、不间断电源和其他电力电子设备。
    厂商支持
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官网技术支持:www.VBsemi.com
    厂商提供详尽的技术文档和专业的售后服务,确保客户能够快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 器件在高温环境下频繁失效 | 确保良好的散热设计,加强热管理。 |
    | 开关过程中出现明显的振铃现象 | 优化驱动电路,增加滤波电容和阻尼电阻。 |
    | 门极驱动电压无法正常触发 | 检查驱动器输出是否满足器件最低驱动要求。 |

    总结和推荐


    综合评估
    K2698-VB 是一款面向高效率电力转换领域的优秀功率 MOSFET。凭借其卓越的导通性能、可靠的雪崩能力和简单的驱动需求,该器件在开关电源、UPS 和其他高频功率转换应用中表现出色。此外,其绿色设计完全符合环保标准,满足全球市场的严格要求。
    推荐使用
    强烈推荐 K2698-VB 用于需要高性能和高可靠性的电力转换设备中。结合其兼容性好、维护支持到位的特点,它是现代电力电子设备的理想选择。
    联系服务热线 400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取更多技术支持!

K2698-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 1
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2698-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2698-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2698-VB K2698-VB数据手册

K2698-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 12.5579
100+ ¥ 11.6277
500+ ¥ 10.6975
900+ ¥ 10.2324
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