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2SK791-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=850V;ID =4A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可以应用于电机控制模块和工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,实现高效、稳定的工业生产过程。
供应商型号: 2SK791-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK791-VB

2SK791-VB概述

    # 2SK791-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SK791-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电力转换和驱动应用。这款MOSFET具有快速开关、易于并联、简单驱动要求等特点,是现代电力电子系统中的关键组件。它广泛应用于电源管理、电机控制、电动汽车充电站、光伏逆变器等领域。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):850 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0 ~ 4.0 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):2.7 Ω (VGS = 10 V)
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS):100 μA (VDS = 800 V, VGS = 0 V)
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss):1300 pF
    - 输出电容 (Coss):310 pF
    - 反向传输电容 (Crss):190 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):78 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):9.6 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):45 nC
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):850 V
    - 栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID):4.1 A (TC = 25 °C),2.6 A (TC = 100 °C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):260 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):125 W (TC = 25 °C)
    热阻率
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):-62 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):-1.0 °C/W

    产品特点和优势


    2SK791-VB 的独特功能使其在市场上具有明显的优势:
    - 动态 dV/dt 评级:使器件能够在高频率下稳定运行。
    - 重复雪崩额定值:确保器件在高瞬态条件下具有更好的可靠性。
    - 快开关特性:非常适合高频开关应用。
    - 简单驱动要求:降低了设计复杂度和成本。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SK791-VB 在许多应用场景中表现出色,如电源转换器、电机驱动器和电池管理系统。例如,在电源转换器中,它的低导通电阻和快速开关特性可以显著提高效率和减少发热。
    使用建议
    1. 热管理:由于其较高的热阻,需要良好的散热设计以避免过热。
    2. 电路布局:注意电路布局的低杂散电感,特别是在高频应用中。
    3. 测试与验证:建议进行详细测试,确保符合特定应用的需求。

    兼容性和支持


    2SK791-VB 支持常见的电气接口标准,并且在设计时充分考虑了兼容性。制造商提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:通过改善散热设计来解决,如增加散热片或风扇。
    2. 高频应用中的振铃问题:通过优化电路布局,降低杂散电感。
    3. 器件损坏:严格按照绝对最大额定值操作,避免超出范围。

    总结和推荐


    综上所述,2SK791-VB 是一款非常优秀的N沟道功率MOSFET,具有出色的性能和广泛的适用性。它的快开关速度、简单驱动要求以及高可靠性使其成为许多电力电子应用的理想选择。对于需要高效、可靠的电力转换或驱动解决方案的应用场景,强烈推荐使用2SK791-VB。

2SK791-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 850V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK791-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK791-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK791-VB 2SK791-VB数据手册

2SK791-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
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