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K791-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=850V;ID =4A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可以应用于电机控制模块和工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,实现高效、稳定的工业生产过程。
供应商型号: K791-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K791-VB

K791-VB概述


    产品简介


    本篇技术手册介绍的是VBsemi公司的一款N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为K791。这款器件采用了TO-220AB封装,适用于各种电力转换应用,如开关电源、电机驱动、电池管理和光伏逆变器等领域。该器件具备低导通电阻、高电流能力和快速开关特性,使其成为现代高效能电力电子系统的关键组件。

    技术参数


    - 基本参数
    - VDS(最大漏源电压):850 V
    - RDS(on)(导通电阻):2.7 Ω @ 10 V栅极电压
    - Qg(总门极电荷):78 nC
    - Qgs(门极-源极电荷):9.6 nC
    - Qgd(门极-漏极电荷):45 nC
    - 配置:单个N-通道
    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压:±20 V
    - 连续漏极电流:2.6 A @ 100 °C
    - 最大功率耗散:125 W @ 25 °C
    - 最大重复雪崩能量:13 mJ
    - 最大脉冲雪崩能量:260 mJ
    - 热阻参数
    - 最大结点到环境热阻:-62 °C/W
    - 结点到外壳热阻:-1.0 °C/W

    产品特点和优势


    - 动态dv/dt评级:能够承受高压快速变化,适用于高频开关应用。
    - 重复雪崩等级:在重复工作条件下仍能保持稳定,适合恶劣工作环境。
    - 快速开关:具有极短的开关延迟时间和恢复时间,减少功耗。
    - 易于并联:具有良好的静态特性和动态特性,使多个器件可以并联使用。
    - 简单驱动要求:不需要复杂的驱动电路,简化设计。
    - 符合RoHS指令:环保且无卤素,确保对人体和环境安全。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET在开关电源和电机驱动应用中表现尤为出色。在选择驱动器时,确保驱动电阻(Rg)在合适的范围内,以确保最佳的开关速度和效率。对于高压应用,建议使用较大的散热片以提高热管理能力。另外,在布局设计中应注意降低寄生电感,使用接地平面来减小信号干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K791可与其他标准TO-220封装的MOSFET和相关驱动器兼容。
    - 支持和维护:VBsemi提供全面的技术支持和售后保障,包括详细的文档和在线技术支持。客户可通过服务热线400-655-8788联系公司获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:器件过热,导致性能下降。
    - 解决方案:检查散热片安装是否正确,确保散热路径畅通无阻。
    - 问题:在高频率下工作时出现振铃现象。
    - 解决方案:增加栅极电阻,调整驱动波形,减少电压上升和下降时间。
    - 问题:驱动电流不足,无法实现预期的开关速度。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保驱动电流足够,栅极驱动电阻适中。

    总结和推荐


    综上所述,VBsemi K791 N-Channel Power MOSFET凭借其出色的电气特性、可靠性及应用灵活性,在电力转换和驱动系统中表现出色。无论是用于工业还是消费电子领域,它都是一个非常值得推荐的选择。对于需要高性能、可靠性和良好散热管理的应用,K791是一个明智的选择。

K791-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 850V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K791-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K791-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K791-VB K791-VB数据手册

K791-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
1000+ ¥ 4.1395
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