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K3938-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT723-3;N沟道;VDS=20V;ID =0.65A;RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=337.5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=0.45V;常适合用于便携式电子设备的电源管理模块,如智能手机、平板电脑和便携式媒体播放器。这些设备要求低功耗和高效能,能够满足这些需求,提供稳定的电源管理。
供应商型号: K3938-VB SOT323-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3938-VB

K3938-VB概述

    # N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 是一种用于电源管理和开关控制的电子元器件。它广泛应用于便携式设备的负载切换和直流/直流转换器中。这种MOSFET采用了先进的TrenchFET®工艺,能够提供卓越的电气特性和热稳定性,使其成为现代电子设备中不可或缺的组件。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on)):低导通电阻使得MOSFET在工作时能够显著降低功耗和发热。
    - 高电流承载能力:最大连续漏极电流为0.9A,峰值脉冲电流可达3.5A,适用于需要高电流承载的应用场合。
    - 快速开关速度:得益于优化的栅极电荷(Qg),MOSFET能够在短时间内完成开关操作。
    应用领域
    - 负载切换:适用于便携式设备中的负载切换,例如智能手机和平板电脑。
    - 直流/直流转换器:用于实现高效的电源转换和管理。

    技术参数


    | 参数 | 数值 |

    | 漏源电压(VDS) | 20 V |
    | 最大漏极电流(TJ = 150 °C) | 0.9 A |
    | 最大栅源电压(VGS) | ± 12 V |
    | 最大漏极功率(TJ = 150 °C) | 0.35 W |
    | 绝对最大额定值下的温度范围 | -55°C 至 150°C |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 无卤材料:根据IEC 61249-2-21标准定义,该MOSFET采用无卤素材料制成,符合环保要求。
    - 高可靠性测试:所有产品均通过100%栅极电阻(Rg)测试,确保产品质量。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求,确保产品符合国际环保标准。
    市场竞争力
    - 高性能:低导通电阻和高电流承载能力使得该MOSFET在同类产品中具有明显的优势。
    - 稳定性好:宽温度范围的工作能力和高可靠性确保了其在各种恶劣环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 便携式设备的负载切换:由于其低功耗和高可靠性,该MOSFET广泛应用于便携式设备的负载切换中。
    - 直流/直流转换器:适合于需要高效电源转换的应用,如电池供电设备。
    使用建议
    - 电路设计注意事项:在设计电路时应注意MOSFET的栅极电荷和热阻抗,以避免过高的热应力。
    - 散热设计:对于高功率应用,需考虑适当的散热措施以保持良好的工作性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该MOSFET可与其他标准电子元件兼容,方便集成到现有的电子系统中。
    支持信息
    - 提供全面的技术文档和支持,包括详细的规格说明书和应用指南。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:如何避免热过载?
    - 解决方案:确保在电路设计中考虑适当的散热措施,例如增加散热片或使用散热膏。
    2. 问题:如何正确连接栅极电阻?
    - 解决方案:确保栅极电阻的值合适,并遵循制造商的推荐值。
    3. 问题:长时间高电流运行会导致什么后果?
    - 解决方案:应避免长时间在高电流下运行,以防止MOSFET过热损坏。

    总结和推荐


    产品综合评估
    - 优点:
    - 低导通电阻和高电流承载能力,使其在电源管理和负载切换应用中表现出色。
    - 符合RoHS和无卤素标准,环保且可靠。
    - 高可靠性测试确保了产品的质量和一致性。
    推荐结论
    - 推荐使用:鉴于该MOSFET在便携式设备和直流/直流转换器中的优异表现及其出色的电气特性和稳定性,我们强烈推荐将其应用于需要高效率和可靠性的电子产品中。

K3938-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 650mA
配置 -
长*宽*高 7.3mm*6.8mm*1.9mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3938-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3938-VB数据手册

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K3938-VB封装设计

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