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K2917-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: K2917-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2917-VB

K2917-VB概述

    K2917-VB N-Channel 600 V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2917-VB 是一款高性能的N沟道超结MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻和高可靠性。这种类型的MOSFET被广泛应用于多种电子系统中,例如通信设备、照明系统、消费电子产品、工业设备以及可再生能源领域等。具体应用包括服务器和电信电源供应、高强度放电灯和荧光灯照明、ATX电源供应、焊接设备、电池充电器以及光伏逆变器等。

    技术参数


    K2917-VB 的关键技术参数如下:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \):600 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \):2-4 V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):0.19 Ω(25 °C时)
    - 最大漏极电流 \( ID \):25 °C时 25 A,150 °C时 13 A
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \):53 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):367 mJ
    - 热阻 \( R{thJA} \):62 °C/W(最大)
    - 输入电容 \( C{iss} \):2322 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):105 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \):4 pF
    - 总栅电荷 \( Qg \):71 nC
    这些参数使得 K2917-VB 在多种应用场景中表现出色,尤其在需要高功率和高效转换的应用场合。

    产品特点和优势


    K2917-VB 的特点和优势包括:
    - 低开关损耗:由于反向恢复时间和电荷较低,使其具有更低的开关损耗。
    - 低门电荷:门电荷较低可以降低驱动功率,提高效率。
    - 快速开关:较低的反向恢复时间(\( t{rr} \))和反向恢复电流(\( I{RRM} \))使切换速度更快。
    - 可靠性高:采用超结技术,耐受能力强。
    这些特性使得 K2917-VB 在高功率应用中表现优异,如电源管理和新能源发电等领域。

    应用案例和使用建议


    根据技术手册中的信息,K2917-VB 可以用于以下几种应用场合:
    - 电信电源供应:适用于各种服务器和电信设备的电源管理,能够有效减少电力损耗。
    - 照明系统:特别适合高强度放电灯和荧光灯的驱动电路,提供高效稳定的输出。
    - 消费电子产品:如ATX电源供应,能够提高能源利用效率。
    - 工业设备:如焊接机和电池充电器,保证稳定可靠的电力供应。
    - 可再生能源:如光伏逆变器,为太阳能发电系统提供高效的能量转换。
    使用建议:
    - 在使用过程中要注意散热设计,确保器件正常工作温度不超过150°C。
    - 注意驱动信号的设计,避免过高的VGS导致器件损坏。
    - 在高温环境下工作时,应适当降低负载电流,防止器件过热。

    兼容性和支持


    K2917-VB 与市面上常见的驱动器兼容,但具体选择时需参考驱动器的详细规格。厂商提供了一系列的技术支持,包括产品数据手册、应用指南和技术咨询服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    在使用 K2917-VB 过程中,可能会遇到一些常见问题,以下是几个可能遇到的问题及其解决方案:
    1. 高温导致器件失效:
    - 解决方案:确保良好的散热措施,必要时增加散热片或采用强制冷却方式。
    2. 驱动信号不稳定导致开关损耗增大:
    - 解决方案:检查驱动信号的设计,确保其符合器件的要求,并增加缓冲电路以稳定信号。
    3. 过大的漏极电流导致器件损坏:
    - 解决方案:在设计电路时考虑过流保护机制,如添加熔断器或限流电阻,防止电流超过器件的额定值。

    总结和推荐


    K2917-VB N-Channel 600 V (D-S) 超结MOSFET 是一款高性能的电子元件,特别适用于需要高效能转换的场合。它的低导通电阻、低开关损耗和高可靠性使其在多个应用领域中表现出色。对于需要高效率和稳定性的电子系统而言,这款器件是理想的选择。
    因此,我强烈推荐在合适的应用场景中使用 K2917-VB,它将为您的项目带来显著的优势和可靠的性能。

K2917-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
栅极电荷 -
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2917-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2917-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2917-VB K2917-VB数据手册

K2917-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 14.3519
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500+ ¥ 12.2257
900+ ¥ 11.6941
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