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K2199-TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=250V;ID =4.5A;RDS(ON)=640mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和便携式电子产品等多个领域的单N沟道MOSFET。
供应商型号: K2199-TL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2199-TL-E-VB

K2199-TL-E-VB概述

    Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于各种电力电子系统中的高效率开关器件。它主要用于电力转换和控制电路中,例如电源管理、电机驱动、照明控制等领域。由于其快速开关能力、高可靠性以及易于并联等特点,它在现代电子系统中扮演着重要角色。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 250V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 漏极连续电流 \( ID \):
    - TC = 25°C 时为 4.5A
    - TC = 100°C 时为 3.0A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 16A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 45W (TJ = 25°C)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 250V (ID = 250μA)
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0V 至 4.0V
    - 零栅压漏极电流 \( I{DSS} \):
    - \( V{DS} = 250V \) 时最大为 25μA
    - \( V{DS} = 200V, TJ = 125°C \) 时最大为 250μA
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): \( V{GS} = 10V \) 时为 0.64Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 260pF (VGS = 0V, VDS = 25V)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 77pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 15pF
    - 总栅电荷 \( Qg \): 14nC
    - 开启延迟时间 \( td(on) \): 7.0ns
    - 上升时间 \( tr \): 13ns
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 50°C/W (PCB Mount)
    - 最大结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 3.0°C/W

    产品特点和优势


    - 动态 dV/dt 评级: 支持高速动态变化。
    - 重复雪崩额定值: 具备良好的重复雪崩耐受能力。
    - 快速开关: 极快的开关速度,适合高频应用。
    - 易于并联: 容易与其他同类器件并联使用,提高电流处理能力。

    应用案例和使用建议


    这种 Power MOSFET 适用于多种电力转换场合,如开关电源、直流-直流变换器等。其在高频开关电源中尤为适用。为了优化使用效果,建议遵循以下建议:
    - 确保足够的散热措施以避免过热。
    - 设计时应考虑低杂散电感和接地平面。
    - 在高速开关应用中,适当调整栅极电阻以实现最佳性能。

    兼容性和支持


    该器件支持通过卷带方式供货,便于大规模生产和自动化组装。制造商提供了详细的资料和技术支持,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问:如何避免器件过热?
    - 答:确保散热良好,使用合适的散热器和散热片。
    - 问:如何选择合适的栅极电阻?
    - 答:根据实际需求选择合适的栅极电阻,以平衡开关速度和能耗。

    总结和推荐


    这款 Power MOSFET 以其出色的性能和应用灵活性脱颖而出,特别适用于需要高开关频率和可靠性的应用场合。对于需要高性能电力控制和转换的应用来说,这款器件是一个值得推荐的选择。

K2199-TL-E-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 640mΩ(mΩ)
配置 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 4.5A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 250V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2199-TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2199-TL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2199-TL-E-VB K2199-TL-E-VB数据手册

K2199-TL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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