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26CNE8N-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: 26CNE8N-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 26CNE8N-VB TO220

26CNE8N-VB TO220概述

    26CNE8N-VB TO220 N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    26CNE8N-VB TO220 是一款由VBsemi生产的N沟道80V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换和控制应用。这款MOSFET采用了TrenchFET®工艺,具备出色的性能和可靠性。
    主要功能和应用领域:
    - 主要功能:用于电源管理、电压调节和功率转换等。
    - 应用领域:包括但不限于主边开关、同步整流、直流/交流逆变器和LED背光。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):80V
    - 栅源电压 \( V{GS} \):±20V
    - 连续漏极电流 \( I{D} \):28.6A @ Tb, A = 25°C,24.9A @ Tb, A = 70°C
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):350A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \):30A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):45mJ
    - 最大功耗 \( P{D} \):180W @ TC = 70°C,120W @ TA = 70°C
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \):-55°C 至 150°C
    静态参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \):80V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \):2.0V 至 3.5V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \):1μA @ V{DS} = 80V,V{GS} = 0V,TJ = 55°C
    - 导通状态漏极电流 \( I{D(on)} \):85A @ V{DS} ≥ 5V,V{GS}
    - 导通状态电阻 \( R{DS(on)} \):7mΩ @ V{GS} = 10V,ID = 20A;9mΩ @ V{GS} = 4.5V,ID = 10A
    动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \):3855pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):1120pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \):376pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):35.5nC
    - 上升时间 \( tr \):8ns 至 16ns
    热阻率:
    - 结到环境的最大热阻率 \( R{thJA} \):15°C/W
    - 结到外壳的热阻率 \( R{thJC} \):0.85°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:采用TrenchFET®工艺,具有更低的导通电阻和更高的能效。
    - 可靠性:100% Rg和UIS测试,确保产品的长期稳定性和可靠性。
    - 广泛的应用:适用于多种电力转换和控制应用,包括主边开关、同步整流、直流/交流逆变器和LED背光等。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流/交流逆变器:在工业和家用电器中广泛应用,如太阳能逆变器。
    - LED背光:用于各种显示设备的背光驱动。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应适当降低电流以避免过热。
    - 确保良好的散热设计,特别是在高功率应用中。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准TO-220封装兼容,易于安装和替换。
    - 支持和服务:提供详细的规格书和技术文档,并通过公司官网和技术支持热线(400-655-8788)提供技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 高温下电流限制:可能由于热阻率导致电流下降。
    - 过载保护:如何确保在过载情况下设备的保护机制正常运行?
    解决方案:
    - 高温应用:采用外部散热器并适当降低电流负载。
    - 过载保护:根据应用需求选择合适的电流限制电路。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点:高性能、高可靠性和广泛的适用性。
    - 推荐使用:适合于各种电力转换和控制应用,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
    综上所述,26CNE8N-VB TO220 MOSFET是一款优秀的电子元件,适合于多种应用场景,其高效率和可靠性使其成为市场的有力竞争者。

26CNE8N-VB TO220参数

参数
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -

26CNE8N-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

26CNE8N-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 26CNE8N-VB TO220 26CNE8N-VB TO220数据手册

26CNE8N-VB TO220封装设计

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500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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