处理中...

首页  >  产品百科  >  8N65-VB TO220F

8N65-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 8N65-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8N65-VB TO220F

8N65-VB TO220F概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用在服务器和电信电源供应系统、开关电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统中的高性能电子元件。其主要功能是在电力系统中实现高效能量转换,尤其适用于需要低损耗、高效率的应用场合。

    技术参数


    - VDS(最大漏源电压): 650V(最高温度时)
    - RDS(on) 最大值(25°C): 1Ω (VGS = 10V)
    - Qg 最大值(总栅极电荷): 13nC (VGS = 10V, ID = 4A, VDS = 520V)
    - Qgs 最大值(栅极源极电荷): 10.1nC (VGS = 10V)
    - Qgd 最大值(栅极漏极电荷): 12nC
    - 输入电容(Ciss): 需注意参数
    - 最大连续漏电流 (TJ = 150°C): 10A (VGS = 10V, TC = 25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 87mJ
    - 最大功耗 (PD): 100W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55至+150°C
    - 封装形式: TO-220 FULLPAK
    - 绝对最大额定值 (TC = 25°C): 包括栅极源极电压 (VGS) ±30V, 漏源电压 (VDS) 650V 等

    产品特点和优势


    这款Power MOSFET具有以下几个显著特点和优势:
    - 低品质因数 (FOM): Ron x Qg 的组合使得它具备较低的品质因数,有利于提高转换效率。
    - 低输入电容 (Ciss): 有助于降低开关损耗,提升系统效率。
    - 超低栅极电荷 (Qg): 进一步减少了开关损耗,从而提升了系统的整体性能。
    - 重复脉冲能力: 可以承受高重复脉冲,适用于各种高能需求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    这类产品广泛应用于各类高能需求的电力转换系统,如服务器和电信电源供应系统、开关电源、功率因数校正电源以及不同类型的照明系统。对于具体应用案例,在服务器电源供应系统中,该MOSFET能够有效处理高电压、大电流的瞬态冲击,保证系统的稳定运行。在使用时,需要注意以下几点:
    - 在选择合适的驱动电阻 (Rg) 时,需确保能有效控制栅极电荷 (Qg) 和栅极漏极电荷 (Qgd)。
    - 使用过程中,需定期监测并维护散热机制,确保设备在高温环境下也能正常运行。
    - 在高频率开关电路中,应注意栅极和源极间的寄生电容 (Cgs) 和栅极和漏极间的寄生电容 (Cgd) 对电路性能的影响。

    兼容性和支持


    该产品与其他电子元器件及设备具有良好的兼容性,适用于广泛的电力转换系统。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册和技术文档,以及在线技术支持。此外,还提供了产品相关的培训课程和售后服务热线,帮助用户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 产品工作过程中发热严重。
    - 解决方案: 确保散热装置设计合理,保持良好的空气流通,并且使用符合标准的散热片或其他冷却设备。
    2. 问题: 产品出现击穿现象。
    - 解决方案: 严格遵循产品的绝对最大额定值,特别是注意漏源电压 (VDS) 和栅极源极电压 (VGS) 的限制。如果需要长时间承受高压,应选用更高额定值的产品。

    总结和推荐


    综上所述,这款Power MOSFET以其高效的能量转换能力和出色的性能,特别适合在服务器和电信电源系统、开关电源、功率因数校正电源以及各种高能需求的照明系统中使用。其优秀的耐热特性和强大的抗脉冲能力使其成为市场上极具竞争力的产品之一。因此,强烈推荐给需要高效率和可靠性电力转换应用的设计工程师和采购人员。

8N65-VB TO220F参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

8N65-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

8N65-VB TO220F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 8N65-VB TO220F 8N65-VB TO220F数据手册

8N65-VB TO220F封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504