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6R160C6-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: 6R160C6-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R160C6-VB TO220F

6R160C6-VB TO220F概述


    产品简介


    6R160C6-VB TO220F N-Channel 650 V Super Junction Power MOSFET
    6R160C6-VB 是一款N沟道650V(D-S)超级结功率MOSFET。这款产品适用于多种高功率和高效率的应用场景,特别是在电源管理和工业控制领域表现出色。由于其独特的超级结设计,该MOSFET能够提供低导通电阻(Ron),同时保持较低的开关损耗和传导损耗。

    技术参数


    以下是6R160C6-VB的关键技术规格:
    - 最大耐压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):在25°C时为0.19Ω
    - 总栅极电荷(Qg):106nC
    - 门极电荷(Qgs):14nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):33nC
    - 连续漏极电流(ID):25°C时为20A,100°C时为13A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):360mJ
    - 最大耗散功率(PD):200W
    - 最高结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 最大结到环境热阻(RthJA):62°C/W
    - 最大结到外壳(Drain)热阻(RthJC):5°C/W

    产品特点和优势


    6R160C6-VB的主要优势包括:
    - 低图指标(FOM)Ron x Qg:这使得该MOSFET在高频应用中表现出色,能够降低开关损耗。
    - 低输入电容(Ciss):有助于快速开关,减少寄生效应。
    - 超低栅极电荷(Qg):减少驱动电路的需求,提高能效。
    - 高可靠性雪崩能量(UIS):能够在极端条件下稳定运行,适用于各种恶劣环境。
    这些特性使得6R160C6-VB在服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等领域得到广泛应用。它特别适合于需要高性能和高可靠性的工业应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:用于数据中心的电源管理系统,确保高效且可靠的电力供应。
    - 照明系统:如高强度放电灯(HID)和荧光灯管的控制电路。
    - 工业设备:应用于各种工业控制和自动化系统。
    使用建议
    - 在高频应用中,应优先考虑其低栅极电荷(Qg)特性,以减少驱动电路的复杂度。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热措施,确保MOSFET在安全范围内工作。
    - 可以通过优化电路设计来进一步降低整体功耗和发热。

    兼容性和支持


    6R160C6-VB采用标准TO-220封装,易于安装和焊接。与其他标准组件兼容,便于集成到现有系统中。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括售后服务和技术咨询,确保用户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 高温下性能下降。
    - 解决方案: 使用良好的散热机制,例如安装散热片或使用液冷散热。

    2. 问题: 开关频率过高导致热失控。
    - 解决方案: 优化电路设计,降低开关频率,或使用散热辅助装置。
    3. 问题: 导通电阻增大。
    - 解决方案: 检查是否工作温度超过最大额定值,并采取适当的散热措施。

    总结和推荐


    综上所述,6R160C6-VB是一款具有高性价比和广泛应用前景的超级结功率MOSFET。其出色的性能和多功能性使其成为服务器电源、电信电源和其他高要求工业应用的理想选择。虽然在极端条件下需要额外的注意,但总体来说,6R160C6-VB能够满足大多数高效率和高可靠性需求。因此,我们强烈推荐该产品给需要高性能功率转换和控制的用户。

6R160C6-VB TO220F参数

参数
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -

6R160C6-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R160C6-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R160C6-VB TO220F 6R160C6-VB TO220F数据手册

6R160C6-VB TO220F封装设计

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