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6R520P-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: 6R520P-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R520P-VB TO220

6R520P-VB TO220概述


    产品简介


    6R520P-VB 是一款由VBsemi公司生产的TO220封装的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、服务器及电信设备等领域。这款MOSFET具备低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg)的特点,从而在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗和传导损耗。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压(VDS): 最大值650V
    - 门源电压(VGS): ±30V
    - 连续漏电流(TJ = 150°C): 186A (VGS = 10V)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 1.6mJ
    - 最大功率耗散(PD): 21W
    - 热阻(RthJA): 63°C/W
    - 热阻(RthJC): 0.6°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(VDS): 600V
    - 门源阈值电压(VGS(th)): 2V至4V
    - 导通电阻(RDS(on)): 1.5Ω (VGS = 10V, ID = 4A)
    - 输入电容(Ciss): 1471pF
    - 输出电容(Coss): 21pF
    - 反向转移电容(Crss): 9pF
    - 动态参数:
    - 总门极电荷(Qg): 10nC
    - 门极-源极电荷(Qgs): 3.3nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd): 5.3nC

    产品特点和优势


    6R520P-VB MOSFET的主要特点是低导通电阻和低门极电荷,使得其在高频开关应用中能够显著减少开关损耗和传导损耗。此外,它具有良好的温度稳定性,适用于广泛的工业和商业应用。其独特的结构设计和优化的制造工艺使其在市场上具有很高的竞争力。

    应用案例和使用建议


    6R520P-VB MOSFET适用于多种高要求的应用场景,例如:
    - 服务器和电信电源:在这些高负载和高频率的环境下,6R520P-VB能够提供可靠的电力管理和稳定的输出。
    - 照明系统:无论是高能效的LED灯还是传统的荧光灯和高压放电灯,6R520P-VB都能有效控制电流并提高能效。
    使用建议:
    - 在高频开关电路中,合理设置门极驱动电阻(Rg)以优化开关时间和降低损耗。
    - 使用散热良好的散热片以确保MOSFET在高温下的稳定运行。
    - 避免过高的瞬态电压(VDS)以防止击穿损坏。

    兼容性和支持


    6R520P-VB MOSFET采用标准TO220封装,易于与其他电子元件兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持和服务,包括详细的用户手册、应用指南和技术支持热线(400-655-8788)。用户可以在使用过程中随时联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中出现明显的损耗增加。
    - 解决方案: 检查门极驱动电阻(Rg)是否适当,必要时调整电阻值。

    2. 问题: 漏电流异常增加。
    - 解决方案: 确认MOSFET是否处于正常的工作环境范围内,并检查是否有外部干扰。

    总结和推荐


    6R520P-VB MOSFET凭借其卓越的电气特性和可靠性,在众多高要求的应用中表现出色。无论是需要高效电力转换还是高可靠性的照明系统,这款MOSFET都是一个理想的选择。推荐用户在各种高功率应用中使用6R520P-VB,尤其是对于注重能效和可靠性的场景。

6R520P-VB TO220参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -

6R520P-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R520P-VB TO220数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R520P-VB TO220 6R520P-VB TO220数据手册

6R520P-VB TO220封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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