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80N06-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: 80N06-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 80N06-VB TO263

80N06-VB TO263概述

    80N06-VB TO263 N-Channel 60V MOSFET

    产品简介


    80N06-VB 是一款由 VBsemi 生产的 TO263 封装的 N 沟道 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品具备出色的导通电阻和电流处理能力,广泛应用于电源管理、电机驱动和各种开关电路中。

    技术参数


    以下是 80N06-VB TO263 的关键技术规格:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):60 V
    - 栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID):65 A (TC = 125 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):350 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):65 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):211 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):70 W (TC = 125 °C)
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 至 +175 °C
    - 热阻率
    - 结至环境热阻 (RthJA):40 °C/W (PCB 安装)
    - 结至外壳热阻 (RthJC):0.65 °C/W

    产品特点和优势


    - 低热阻设计:80N06-VB 采用低热阻封装,能有效散热,延长器件寿命。
    - 高性能 MOSFET:TrenchFET® 技术保证了较低的导通电阻 (RDS(on)) 和优异的动态性能。
    - 高可靠性:所有产品都经过 Rg 和 UIS 测试,确保质量和可靠性。
    - 广泛的适用温度范围:-55 °C 到 +175 °C,适用于严苛环境条件下的应用。

    应用案例和使用建议


    80N06-VB 主要应用于:
    - 电源管理:用于直流-直流转换器、稳压器等。
    - 电机驱动:适用于各类小型电机的驱动控制。
    - 开关电路:适用于需要高开关频率的电路。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保散热系统能够满足器件的最大功耗要求。
    - 使用合适的栅极驱动电路以优化开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:80N06-VB 可以与其他标准 TO263 封装的组件轻松互换,适用于大多数现成的 PCB 设计。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,用户可通过服务热线 400-655-8788 获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET 热量过载,器件损坏。
    - 解决方法:增加散热片或改善 PCB 散热设计。

    - 问题:栅极驱动不稳定导致导通不良。
    - 解决方法:优化栅极驱动电路设计,确保足够的栅极驱动电流。

    总结和推荐


    80N06-VB TO263 N-Channel 60V MOSFET 凭借其低导通电阻、高可靠性和广泛的适用温度范围,成为电源管理和电机驱动应用的理想选择。其出色的设计和严格的测试确保了其在严苛环境下的长期稳定运行。强烈推荐在设计电源管理或电机驱动电路时考虑此款产品。

80N06-VB TO263参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -

80N06-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

80N06-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 80N06-VB TO263 80N06-VB TO263数据手册

80N06-VB TO263封装设计

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