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5R250P-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: 14M-5R250P-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 5R250P-VB TO220F

5R250P-VB TO220F概述


    产品简介


    产品类型:N-Channel 650 V (D-S) Super Junction Power MOSFET
    主要功能:该产品是一款高性能N沟道超级结功率MOSFET,用于高压应用场合。
    应用领域:广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应器、照明系统(如高亮度放电灯HID和荧光灯照明)、工业领域等。

    技术参数


    - 最大耐压 (VDS):650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.19 Ω(在25℃时,栅源电压为10V)
    - 总栅极电荷 (Qg):106 nC
    - 输入电容 (Ciss):2322 pF
    - 输出电容 (Coss):105 pF
    - 反向转移电容 (Crss):-4 pF
    - 最大连续漏极电流 (ID):20 A(在TJ=150℃时)
    - 重复脉冲雪崩能量 (EAS):360 mJ
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):62 °C/W
    - 最大结到管壳热阻 (RthJC):0.5 °C/W
    - 栅极泄漏电流 (IGSS):±100 nA(在VGS=±20 V时)
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):≤1 μA(在VDS=520 V,VGS=0 V时)
    - 正向导通电流 (IS):21 A
    - 正向导通电压 (VSD):0.9 V至1.2 V(在TJ=25℃,IS=11 A,VGS=0 V时)
    - 反向恢复时间 (trr):160 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):1.2 μC

    产品特点和优势


    该产品具有低FOM值(Ron x Qg),低输入电容(Ciss),低开关和传导损耗,超低栅极电荷(Qg),且经过重复脉冲雪崩能量测试(UIS)。这些特性使其在多个应用场合中表现出色,尤其是在高要求的电源管理系统中。此外,它的优越性能保证了在复杂工业环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源供应系统:确保系统具有高效率、低功耗和可靠的电源管理。
    2. 开关模式电源(SMPS):帮助提高转换效率并减少热损耗。
    3. 功率因数校正(PFC)电源供应器:有效提高功率因数,减少谐波失真。
    4. 照明系统:尤其适用于高亮度放电灯(HID)和荧光灯照明系统。
    使用建议
    - 确保在应用中合理设计散热方案,以维持最佳工作温度,延长使用寿命。
    - 考虑到其低输入电容特性,在高速开关应用中可进一步提升效率。
    - 在选择驱动电路时,应充分考虑栅极电荷(Qg)和栅极-源极电荷(Qgs),以便准确控制开关过程中的瞬态特性。

    兼容性和支持


    该产品具备良好的兼容性,适用于多种标准的高压电源系统设计。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的产品文档、快速响应的客户服务和技术专家支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确焊接此MOSFET?
    - 解决方案:严格按照制造商的推荐焊接温度(峰值温度为300℃,持续10秒)进行操作。确保焊接温度不超过最高温度限制。

    - 问题:在哪些条件下可以实现最高重复脉冲雪崩能量(EAS)?
    - 解决方案:重复脉冲雪崩能量为360 mJ,在规定的测试条件下,需注意其脉冲宽度受限于最大结温。

    总结和推荐


    综上所述,5R250P-VB TO220F是一款高性能、高效能的N-Channel 650 V Super Junction Power MOSFET,具有优异的热稳定性和可靠性。它在多种应用场合中展现出卓越的性能表现,特别是对于需要高压、高可靠性的应用领域。我们强烈推荐将其用于关键电源管理和工业控制系统中。对于寻求高性能解决方案的客户,这款产品无疑是一个明智的选择。

5R250P-VB TO220F参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

5R250P-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

5R250P-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 5R250P-VB TO220F 5R250P-VB TO220F数据手册

5R250P-VB TO220F封装设计

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30+ ¥ 11.436
100+ ¥ 10.0716
2500+ ¥ 9.6915
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