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VBP19R09S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel 900V (D-S) Super Junction Power MOSFET,9A,RDS(ON),0.6Ω@10V,Vgs(±30V), Vth(2-4V);封装:TO-247
供应商型号: 14M-VBP19R09S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP19R09S

VBP19R09S概述

    # VBP19R09S N-Channel 900V MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    基本信息
    VBP19R09S 是一款高性能的 N 沟道超级结功率 MOSFET,其典型应用为高电压电力转换领域。它具备低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),是服务器、电信电源系统以及开关模式电源(SMPS)设计的理想选择。此外,该产品还广泛应用于高亮度放电(HID)照明及荧光灯镇流器等场景。
    主要功能
    - 低门极电荷(Qg) 和 低输入电容(Ciss) 提升开关效率。
    - 超低栅极电荷(Qg) 和 超低反向恢复时间(trr) 确保快速开关性能。
    - 支持大电流工作条件,适合高能效应用场景。

    技术参数


    以下是 VBP19R09S 的关键性能指标:
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 击穿电压 (VDS) | - | - | - | 900 | V |
    | 栅源开启电压 (VGS(th)) | - | 2 | - | 4 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | VGS=10V | - | 0.60 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | VGS=10V | - | 73 | - | nC |
    | 输入电容 (Ciss) | VGS=0V | - | 7 | - | pF |
    | 输出电容 (Coss) | VGS=0V | - | - | - | pF |
    | 反向传输电容 (Crss) | VGS=0V | - | 4 | - | pF |
    | 门极电荷曲线 (Qgd) | VGS=10V | - | 17 | - | nC |
    | 额定雪崩能量 (EAS) | - | - | - | 226 | mJ |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低导通损耗:通过 RDS(on) 的优异表现,在相同电流下显著降低功耗。
    2. 快速开关性能:得益于低 Qg 和 Ciss 特性,大幅减少开关时间和功率损耗。
    3. 高可靠性:重复性雪崩能力高达 226mJ,适用于严苛的工作环境。
    4. 超低温升:具有优秀的散热性能,确保长期稳定运行。
    市场竞争力
    - 在高频应用中具有显著的优势,例如服务器电源、LED 驱动器等需要高效能、高频率的场景。
    - 极佳的性价比使其成为替代传统硅器件的优选。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 服务器和通信设备:用于 DC-DC 转换器和电源管理模块。
    - 工业照明:如荧光灯镇流器和 HID 照明驱动器。
    - 可再生能源系统:光伏逆变器和风力发电控制电路。
    使用建议
    - 由于该器件具有较高的耐压能力,应确保驱动电路的设计符合额定条件。
    - 在高电流场景下,需特别注意 PCB 设计以避免热失控现象。
    - 结合图 8 的 Safe Operating Area (SOA),合理规划最大工作电流和电压,避免超出额定范围。

    兼容性和支持


    - 兼容性:VBP19R09S 支持标准 TO-247 封装,与市面上同类器件高度兼容。
    - 技术支持:VBsemi 提供全面的技术文档和在线服务支持,用户可通过官网 www.VBsemi.com 获取最新资料。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 优化驱动电路,减小 Qg 值。 |
    | 过温保护频繁触发 | 检查散热设计,确保良好气流循环。 |
    | 输出电流异常波动 | 检查 PCB 布线,确保无电磁干扰影响。 |

    总结和推荐


    VBP19R09S 是一款性能卓越的功率 MOSFET,其在导通损耗、开关速度和工作稳定性方面表现出色。尤其适用于高能效需求的高压电源系统。其性价比和可靠性使其成为当今电子工程师的理想选择。
    推荐指数:⭐️⭐️⭐️⭐️⭐️
    如有相关应用需求,强烈建议优先考虑 VBP19R09S,同时可联系 VBsemi 官方服务热线 400-655-8788 获取更多技术支持和服务。

VBP19R09S参数

参数
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-247

VBP19R09S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP19R09S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP19R09S VBP19R09S数据手册

VBP19R09S封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 16.3717
10+ ¥ 14.91
30+ ¥ 14.075
100+ ¥ 12.3957
300+ ¥ 11.928
900+ ¥ 11.6941
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