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WFU5N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: WFU5N60-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFU5N60-VB

WFU5N60-VB概述

    WFU5N60 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WFU5N60 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于功率转换系统、电机驱动和开关电源等领域。该器件具有低栅极电荷(Qg)和增强的抗门极、雪崩及动态 dV/dt 能力,能够简化驱动要求并提高可靠性。此外,WFU5N60 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,确保了环保合规性。

    技术参数


    - 基本参数
    - VDS(漏源电压):650V
    - RDS(on)(导通电阻):0.95Ω @ VGS = 10V
    - Qg(总栅极电荷):15nC
    - Configuration:单通道
    - Available:符合 RoHS
    - 绝对最大额定值
    - VDS:650V
    - VGS:±30V
    - 连续漏电流(TC = 25°C):5A
    - 脉冲漏电流(IDM):16A
    - 最大功率耗散(TC = 25°C):205W
    - 热阻
    - 最大结至环境热阻(RthJA):- °C/W
    - 最大结至外壳(漏极)热阻(RthJC):-
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS):650V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0 - 4.0V
    - 零栅电压漏电流(IDSS):10μA
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):320pF
    - 输出电容(Coss):75pF
    - 有效输出电容(Coss eff.):0 - 520V
    - 其他参数
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):120mJ
    - 反向恢复时间(trr):180ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):2.1 - 3.2μC

    产品特点和优势


    WFU5N60 N-Channel MOSFET 的独特之处在于其低栅极电荷(Qg)特性,这使得驱动要求简单化。此外,该器件具备出色的雪崩和动态 dV/dt 耐受能力,使其在高压和高频应用中表现出色。通过完全表征的电容和雪崩电压电流,WFU5N60 提高了系统可靠性。由于符合 RoHS 指令,该器件还符合环保标准,非常适合在工业环境中使用。

    应用案例和使用建议


    WFU5N60 可广泛应用于各类功率转换系统,如电机驱动、开关电源、逆变器等。例如,在逆变器设计中,WFU5N60 可以作为关键功率器件,提供高效能和可靠性。具体应用时,需注意以下几点:
    - 在选择驱动电路时,确保驱动电压(VGS)满足额定范围,以防止损坏。
    - 注意散热设计,确保 MOSFET 工作温度不超过最大限制,避免过热导致故障。

    兼容性和支持


    WFU5N60 与多种电子元器件和设备兼容,如标准的印刷电路板(PCB)布局和常见的驱动电路。制造商提供详细的技术文档和支持,帮助用户正确安装和使用该产品。如有疑问,可联系官方技术支持获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的结温导致设备过热。
    - 解决方案:确保使用适当的散热措施,如散热片或风扇,以维持合适的温度范围。

    2. 问题:驱动电路配置不当。
    - 解决方案:参考产品手册中的推荐驱动电路配置,确保 VGS 在规定的范围内。
    3. 问题:电流过载导致失效。
    - 解决方案:检查负载条件,确保电流在规定的最大值内。必要时使用外部保护电路。

    总结和推荐


    WFU5N60 N-Channel MOSFET 以其出色的性能和可靠性,在高压和高频应用中表现出色。其独特的低栅极电荷特性简化了驱动要求,增强了系统的整体效率。尽管在选择使用时需要仔细考虑散热和驱动配置,但该产品无疑是一款值得推荐的高性能 MOSFET。对于寻求高效能和可靠性的工程师而言,WFU5N60 是一个理想的选择。

WFU5N60-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-251

WFU5N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFU5N60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFU5N60-VB WFU5N60-VB数据手册

WFU5N60-VB封装设计

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