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K3529-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K3529-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3529-01-VB

K3529-01-VB概述

    # K3529-01-VB N-Channel 800V Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K3529-01-VB 是一款高性能的N通道超级结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),主要设计用于高效率的开关电源、电机驱动及照明控制等领域。其主要特点包括极高的动态dV/dt耐受能力、快速开关特性、易于并联操作以及符合RoHS环保标准,使其在工业控制、消费电子及通信设备中具有广泛的应用潜力。

    技术参数


    以下为该产品的核心技术规格:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 800 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 1.2 | - | Ω |
    | 栅电荷 | Qg | - | 200 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 3100 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 800 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 490 | - | pF |
    其他关键参数:
    - 集电极连续电流:3.9 A @ 25°C;1.2 A @ 100°C
    - 集电极脉冲电流:21 A
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大功耗:190 W

    产品特点和优势


    1. 动态dV/dt评级:可承受极高的电压上升速率,适合于高频开关应用。
    2. 重复雪崩额定值:具有出色的抗雪崩能力,能够在极端条件下稳定运行。
    3. 中央绝缘孔设计:增强散热性能,提升可靠性。
    4. 易于并联:适用于需要多器件并联的工作环境。
    5. 低栅极驱动需求:简化电路设计,降低系统复杂度。
    6. RoHS合规:完全符合欧盟环保法规要求。
    这些特性使K3529-01-VB成为高效能、可靠性的代名词,在中高压电力电子领域占据领先地位。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 开关电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)
    - 电机驱动器
    - LED驱动器
    - 工业逆变器
    使用建议
    1. 在设计时需注意器件的热管理,尤其是高负载条件下的温升控制。
    2. 确保驱动电路匹配器件的特性,避免因驱动不足导致的开关损耗增加。
    3. 结合电容选型,优化整体系统的EMI性能。
    4. 针对高dv/dt场景,可适当加装缓冲电路以保护器件免受冲击损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:支持TO-220AB封装,可直接替换同类产品。
    - 厂商支持:提供全面的技术文档及售后服务,客户可通过服务热线400-655-8788获取支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 器件发热严重 | 改善散热设计,选用更大的散热片。 |
    | 开关速度慢 | 调整驱动电阻,降低Rg值。 |
    | 反向恢复时间长 | 使用外部RC网络吸收尖峰电压。 |

    总结和推荐


    K3529-01-VB是一款高性能、高可靠性的N通道功率MOSFET,尤其适合高电压、高频率的应用场景。其优越的动态特性、便捷的驱动方式及出色的热管理能力使其在市场上极具竞争力。综合评估后,我们强烈推荐此产品给需要高效能电力电子解决方案的设计工程师。
    如需进一步了解产品详细信息,请访问官网 www.VBsemi.com 或联系客服热线400-655-8788。

K3529-01-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 5A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 800V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220

K3529-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3529-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3529-01-VB K3529-01-VB数据手册

K3529-01-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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