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U5N60HA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: U5N60HA-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) U5N60HA-VB

U5N60HA-VB概述

    U5N60HA N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    U5N60HA 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和高频开关应用。该器件以其低栅极电荷和出色的抗脉冲能力著称,适用于多种工业和消费电子产品。

    2. 技术参数


    - 额定电压 VDS:650V
    - 导通电阻 RDS(on)(VGS = 10V):0.95Ω
    - 最大总栅极电荷 Qg:15nC
    - 最大栅极源极电荷 Qgs:3nC
    - 最大栅极漏极电荷 Qgd:6nC
    - 热阻 RthJA:未明确标出
    - 连续漏极电流 ID:4A(TC = 100°C)
    - 重复单脉冲雪崩能量 EAS:120mJ
    - 重复雪崩电流 IAR:34A
    - 最大功率耗散 PD:205W(TC = 25°C)

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低栅极电荷简化了驱动要求,有助于降低功耗和提高效率。
    - 增强的耐用性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受力,确保在高压环境下的可靠性。
    - 全面的参数化:完全表征的电容和雪崩电压、电流,保证了精确的设计和预测。
    - 环保合规:符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC,绿色无铅。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于电动机控制、不间断电源 (UPS) 和焊接设备等领域。
    - 使用建议:为确保最佳性能,建议在高温环境下适当降额使用,并根据负载情况选择合适的散热方案。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:U5N60HA 支持多种封装形式(TO-220AB、TO-252、TO-251),适用于不同应用场景。
    - 支持和维护:厂商提供详尽的技术文档和支持,便于客户进行设计和集成。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:加强散热措施,如增加散热片或优化电路布局以减少发热。

    7. 总结和推荐


    U5N60HA 是一款优秀的 N 沟道 MOSFET,具有出色的性能和可靠性。其低栅极电荷和良好的雪崩耐受能力使其非常适合于高压、高可靠性的应用场景。强烈推荐在需要高效率和强抗脉冲能力的电力系统中使用此产品。
    总结:U5N60HA 通过其卓越的电气特性和鲁棒性,在多种应用场景中表现出色。对于需要高压、大电流且对可靠性有严格要求的应用场合,它是一个值得信赖的选择。

U5N60HA-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 5A
通用封装 TO-251

U5N60HA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

U5N60HA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 U5N60HA-VB U5N60HA-VB数据手册

U5N60HA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
4000+ ¥ 2.3759
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