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TJ60S06M3L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO252;P—Channel沟道,-60V;-60A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-2V;
供应商型号: TJ60S06M3L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TJ60S06M3L-VB

TJ60S06M3L-VB概述


    产品简介


    P-Channel 60V MOSFET
    P-Channel 60V (D-S) MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电力电子设备、电源管理和电机控制等领域。该器件以其卓越的开关特性和低导通电阻而著称,适用于多种高电压、大电流的应用场合。

    技术参数


    以下是该P-Channel 60V MOSFET的主要技术参数:
    | 参数 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | -60 | V |
    | 栅源击穿电压 | VGS | -20 | - | +20 | V |
    | 连续漏极电流 (TJ=175°C) | ID | - | - | -65 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | -225 | A |
    | 反复雪崩能量 | EAR | - | - | 180 | mJ |
    | 集电极到散热片热阻 | RthJA | 40 | - | - | °C/W |
    | 集电极到外壳热阻 | RthJC | - | - | 0.8 | °C/W |
    | 栅源漏电流 | IGSS | ±100 | - | nA |

    产品特点和优势


    1. 高性能: 该P-Channel 60V MOSFET 具有较低的栅源击穿电压和漏源击穿电压,保证了在高压环境下的稳定性和可靠性。
    2. 低导通电阻: 在 -10V 的栅源电压下,其导通电阻低至 0.0055Ω,确保了高效率的工作状态。
    3. 符合RoHS标准: 产品符合RoHS标准,环保且安全。
    4. 高温性能优越: 可在 -55°C 至 175°C 的温度范围内正常工作,适用于严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该P-Channel 60V MOSFET常用于开关电源、电池充电器、逆变器和直流-直流转换器等电力电子设备中。其高耐压能力和低导通电阻使得它在这些应用中表现优异。
    使用建议
    1. 电路设计: 在设计时应注意合理的布局和散热设计,以确保MOSFET的高效运行。
    2. 驱动信号: 确保驱动信号的稳定性和准确性,以避免不必要的损坏。
    3. 散热管理: 高温环境下,应采取有效的散热措施,如加装散热片或风扇。

    兼容性和支持


    该P-Channel 60V MOSFET采用TO-252封装,可以方便地与其他电子元器件集成。厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括但不限于:
    - 技术支持热线: 400-655-8788
    - 应用指导: 提供详细的安装指南和应用手册。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过快导致发热严重 | 适当降低开关频率或增加散热措施 |
    | 导通电阻增大导致功耗增加 | 检查是否有外部短路或接触不良 |
    | 驱动信号不稳定 | 确认驱动信号的正确性和稳定性 |

    总结和推荐


    P-Channel 60V MOSFET 是一款高性价比的电力电子器件,具备出色的性能和广泛的应用范围。无论是对于电力电子设备的设计者还是使用者,都是一个非常可靠的选择。推荐在需要高电压、大电流且环境要求严格的场合使用。

TJ60S06M3L-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 60A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 10V
通用封装 TO-252

TJ60S06M3L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TJ60S06M3L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TJ60S06M3L-VB TJ60S06M3L-VB数据手册

TJ60S06M3L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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