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STD3NM60-1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: STD3NM60-1-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STD3NM60-1-VB

STD3NM60-1-VB概述


    产品简介


    STD3NM60-1 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高效率的应用。它具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),可以显著简化驱动要求,从而提升整体系统效率。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on))| 0.95 | Ω |
    | 栅极电荷 (Qg) | 15 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 3 | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 6 | nC |
    | 额定脉冲电流 (IDM)| 16 | A |
    | 最大工作温度 (TJ)| 150 | °C |
    | 最大功率耗散 (PD)| 205/35/30 | W |
    | 最大反向恢复电压(dV/dt)| 4.5 | V/ns |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:低栅极电荷(Qg)简化了驱动要求,提升了系统的可靠性和效率。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性:确保在高电压和高电流条件下依然稳定运行。
    3. 全面表征的电容和雪崩电压、电流:保证了可靠的设计参数。
    4. 符合RoHS指令:产品完全符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源转换器:STD3NM60-1适用于各种开关电源转换器,如直流-直流转换器,其高效率和可靠性可以有效提高转换器的整体性能。
    - 逆变器:在电机驱动和光伏逆变器中,STD3NM60-1能够提供出色的开关速度和低损耗,从而降低功耗并提高能效。
    使用建议:
    - 散热管理:为了保证长时间可靠运行,应充分考虑散热措施,如使用适当的散热片或强制风冷系统。
    - 驱动电路设计:鉴于低栅极电荷,驱动电路应设计得更加简单高效,以进一步减少能耗和成本。

    兼容性和支持


    - 兼容性:STD3NM60-1 尺寸和引脚配置通用,易于集成到多种电子系统中。
    - 技术支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和专业的技术支持,帮助用户快速上手和解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 产品在高温环境下无法正常工作 | 确保散热片接触良好,必要时增加风扇等散热装置。 |
    | 产品导通时间过长 | 检查驱动电路的设置,确保栅极驱动电压足够。 |
    | 产品出现损坏 | 确认安装过程中无误操作,检查焊点是否良好。 |

    总结和推荐


    总结:
    STD3NM60-1 具备出色的性能参数和稳定性,特别适合于高功率密度应用,如开关电源和逆变器。其低栅极电荷和增强的耐受性使其成为市场的热门选择。
    推荐:
    强烈推荐在需要高效率和高可靠性的应用中使用 STD3NM60-1,特别是那些对散热有严格要求的场合。考虑到其全面的技术支持和良好的兼容性,它将为用户提供可靠的解决方案。

STD3NM60-1-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-251

STD3NM60-1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STD3NM60-1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STD3NM60-1-VB STD3NM60-1-VB数据手册

STD3NM60-1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
4000+ ¥ 2.3759
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