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VBMB19R05S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220F;N—Channel沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: VBMB19R05S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB19R05S

VBMB19R05S概述

    # VBMB19R05S N-Channel Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBMB19R05S 是一款高性能 N 沟道(D-S)超级结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),专为高效率开关电源、逆变器及工业控制应用设计。其独特的超级结结构实现了低导通电阻(RDS(on))和卓越的开关性能,特别适用于高频和高电压应用场景。
    主要功能
    - 支持动态 dV/dt 额定值
    - 反复雪崩额定值
    - 隔离中央安装孔
    - 快速开关能力
    - 简单并联需求
    - 易于驱动
    - 符合 RoHS 规范
    应用领域
    - 开关电源(SMPS)
    - 工业电机控制
    - 通信电源模块
    - 新能源汽车逆变器

    技术参数


    以下是 VBMB19R05S 的关键技术参数列表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 900 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 1.2 | - | Ω |
    | 栅电荷 | Qg | - | 200 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 110 | - | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 19 | - | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 120 | - | ns |
    | 峰值体二极管恢复电压 | dV/dt | - | 2.0 | - | V/ns |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 900 V
    - 连续漏电流 (ID): 5 A @ 25°C
    - 最大功耗 (PD): 190 W @ 25°C
    热阻抗
    - 结点到环境热阻抗 (RthJA): ≤40 °C/W
    - 结点到外壳热阻抗 (RthJC): ≤0.65 °C/W

    产品特点和优势


    VBMB19R05S 的核心优势在于其高效能的超级结结构,使其在高电压和高频应用中表现出色。以下是主要特点:
    1. 快速开关性能:得益于低栅电荷和高开关速度,适合高频开关电路。
    2. 高可靠性:支持反复雪崩测试,保证在恶劣环境下的稳定性。
    3. 易于并联和驱动:简化了电路设计,降低了整体系统复杂度。
    4. 环保合规:符合 RoHS 和无卤素标准,适用于绿色环保产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源:作为初级开关管用于 AC-DC 转换器,实现高效的能量转换。
    2. 电机驱动:应用于工业电机控制系统,提高运行效率。
    3. 新能源汽车逆变器:用于牵引逆变器和车载充电机,满足高压需求。
    使用建议
    - 散热管理:由于最大功耗较高,需采用良好的散热措施,如加装散热片或风扇。
    - 布局优化:确保 PCB 布局中减少寄生电感,以降低电磁干扰。
    - 驱动电路设计:使用合适的栅极驱动电路,避免过高的 dv/dt 引起误触发。

    兼容性和支持


    VBMB19R05S 与主流电路设计完全兼容,且支持多种工业标准。厂商提供详尽的技术支持文档和客户服务,确保用户快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻 (Rg),优化驱动电路 |
    | 发热严重 | 增强散热措施,改善 PCB 布局 |
    | 系统振荡 | 添加缓冲电路,减小寄生电感 |

    总结和推荐


    VBMB19R05S 是一款出色的高性能功率 MOSFET,尤其适合需要高效率、高可靠性的应用场景。其优异的开关性能和兼容性使其成为开关电源和工业控制领域的理想选择。强烈推荐用于需要频繁开关操作的场合,特别是对功耗敏感的设计项目。
    如果您正在寻找一款能够在高压和高频下表现稳定的功率器件,VBMB19R05S 将是一个理想的选择。

VBMB19R05S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 -
通用封装 TO-220F

VBMB19R05S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB19R05S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB19R05S VBMB19R05S数据手册

VBMB19R05S封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
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