处理中...

首页  >  产品百科  >  VBA5840

VBA5840

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: SOP8;N+P—Channel沟道,±80V;3.4/-2.2A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1.5V;
供应商型号: VBA5840 SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBA5840

VBA5840概述


    产品简介


    N-Channel 和 P-Channel 80V (D-S) MOSFET
    产品类型: N-Channel 和 P-Channel MOSFET
    主要功能:
    - 采用TrenchFET® Power MOSFET技术,具有高效率和低导通电阻。
    - 经过100%的栅极电阻和雪崩测试(Rg和UIS)。
    应用领域:
    - 液晶背光逆变器(CCFL Inverter)
    - 其他电源管理和控制应用

    技术参数


    静态参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):80 V
    - 最大栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏电流 (TJ = 150 °C):
    - N-Channel: TC = 25 °C时为5.3 A,TC = 70 °C时为4.3 A
    - P-Channel: TC = 25 °C时为3.9 A,TC = 70 °C时为3.2 A
    - 脉冲漏电流 (10 μs脉冲宽度):20 A (N-Channel), 25 A (P-Channel)
    - 单脉冲雪崩电流 (L = 0.1 mH):11 A (N-Channel), 15 A (P-Channel)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):6.1 mJ (N-Channel), 11 mJ (P-Channel)
    热阻参数:
    - 最大结点到环境热阻 (RthJA):N-Channel: 55°C/W, P-Channel: 53°C/W

    产品特点和优势


    - 高可靠性: 通过100%的Rg和UIS测试。
    - 高性能: 采用TrenchFET®技术,具有较低的导通电阻 (RDS(on)) 和较小的总栅极电荷 (Qg)。
    - 温度稳定性: 在广泛的温度范围内保持稳定的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 逆变器中的液晶背光 (CCFL Inverter)
    - 电源管理模块中的开关控制
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应确保良好的散热措施,以避免超过最大工作温度 (TJ = 150 °C)。
    - 选择合适的外部电路设计,如适当的栅极电阻 (Rg),以减少开关损耗并提高效率。

    兼容性和支持


    - 该MOSFET采用SO-8封装,适用于多种板载安装方法。
    - 厂商提供全面的技术支持和维护,包括数据手册、应用笔记和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 问题: 开关频率过高导致MOSFET过热。
    - 解决方案: 减少开关频率或增加散热措施,如使用散热片或强制风冷。

    2. 问题: 高压环境下的栅极泄漏电流。
    - 解决方案: 确保栅极驱动电路稳定且可靠,使用合适的栅极电阻 (Rg) 来限制栅极电流。

    总结和推荐


    总结:
    该MOSFET在电源管理和逆变器应用中表现出色,具有高可靠性、低导通电阻和良好的温度稳定性。它特别适合需要高效能和可靠性的应用场合。
    推荐:
    强烈推荐使用此款N-Channel和P-Channel 80V (D-S) MOSFET,特别是在高功率和高温度应用中,其卓越的性能和可靠性将显著提升系统的整体表现。

VBA5840参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 N+P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.5V
Vds-漏源极击穿电压 ±80V
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 3.4A,2.2A
通用封装 SOP-8

VBA5840厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBA5840数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBA5840 VBA5840数据手册

VBA5840封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.1526
4000+ ¥ 2.059
库存: 400000
起订量: 15 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 37.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504